[發(fā)明專利]半導體基板、半導體元件、發(fā)光元件以及電子元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980105296.0 | 申請日： | 2009-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN101952984A | 公開（公告）日： | 2011-01-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 藤岡洋 | 申請（專利權(quán)）人： | 國立大學法人東京大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;C23C14/06;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 岳雪蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 發(fā)光 以及 電子元件 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導體基板，其特征在于，具有：
石墨基板，其具有耐熱性和對于外力的可撓性；和
第一半導體層，其設于所述石墨基板上且由13族元素氮化物構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體基板，其特征在于，所述石墨基板含有燒結(jié)的聚合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體基板，其特征在于，所述石墨基板的厚度在100μm以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的半導體基板，其特征在于，進一步具有設于所述石墨基板與所述第一半導體層之間且至少含有HfN和ZrN中任一個的第二半導體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導體基板，其特征在于，進一步具有設于所述石墨基板與所述第一半導體層之間且含有AlN的第三半導體層。
6.一種半導體元件，其特征在于，具有權(quán)利要求1至5中任一項所述的半導體基板。
7.一種發(fā)光元件，其特征在于，具有權(quán)利要求6所述的半導體元件。
8.一種電子元件，其特征在于，具有權(quán)利要求6所述的半導體元件。
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