[發(fā)明專利]微芯片及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980104904.6 | 申請日： | 2009-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN101952731A | 公開（公告）日： | 2011-01-19 |
| 發(fā)明（設計）人： | 平山博士;波多野卓史 | 申請（專利權）人： | 柯尼卡美能達精密光學株式會社 |
| 主分類號： | G01N35/08 | 分類號： | G01N35/08;B81B1/00;G01N37/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 張濤 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一種微芯片，其包括：
樹脂基板，其具備形成有流路用槽的第1表面和位于所述第1表面相反側的第2表面；以及
樹脂膜，其接合在所述樹脂基板的第1表面上，
其中，所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合面由下述區(qū)域構成：包含形成有所述流路用槽的區(qū)域的中央區(qū)域，以及位于該中央區(qū)域外周的周邊區(qū)域，
在所述中央區(qū)域，所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合強度大于0.098N/cm，
所述接合面的至少一部分周邊區(qū)域的接合強度大于所述中央區(qū)域的接合強度。
2.權利要求1中所記載的微芯片，其中，在所述樹脂基板第1表面的包含邊緣在內的部分區(qū)域上，設置有未設置所述樹脂膜的非接合區(qū)域。
3.一種微芯片，其包括：
樹脂基板，其具有形成有流路用槽的第1表面和位于所述第1表面相反側的第2表面；以及
樹脂膜，其接合在所述樹脂基板的第1表面上，其中，
所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合強度大于0.098N/cm，
所述樹脂基板第1表面的包含邊緣在內的部分區(qū)域上設置有未設置所述樹脂膜的非接合區(qū)域。
4.一種微芯片的制造方法，其包括下述步驟：
第1接合步驟：在具有形成有流路用槽的第1表面和位于所述第1表面相反側的第2表面的樹脂基板的第1表面上，接合樹脂膜，以形成接合面，所述接合面由下述區(qū)域構成：所述包含形成有流路用槽的區(qū)域的中央區(qū)域、以及位于該中央區(qū)域外周的周邊區(qū)域；
第2接合步驟：在所述第1接合步驟后，對所述接合面的至少一部分周邊區(qū)域的接合強度進行強化，
其中，在所述接合面的中央區(qū)域，所述樹脂基板和所述樹脂膜的接合強度大于0.098N/cm。
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