[發明專利]具有受控形態的摻雜二氧化鈰研磨劑及其制備

無效

• 申請號: 200980104643.8
• 申請日: 2009-02-03
• 公開（公告）號: CN101970347A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 約克·德梅塞馬克;斯特金·普特;德克·萬格奈希滕;伊維斯·范羅姆帕伊;丹尼爾·內利斯;伊萬·施特勞芬;古斯塔夫·萬滕德洛
• 申請（專利權）人: 尤米科爾公司
• 主分類號: C01B17/00
• 分類號: C01B17/00;C09K3/14
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 張珂珂;郭國清

1.比表面積為10到120m²/g的釔摻雜的二氧化鈰顆粒，其特征在于，至少95wt％、優選至少99wt％的顆粒是單晶的，并且在于所述顆粒的表面包含超過70％、優選超過80％的與{111}面平行的面。

2.權利要求1所述的釔摻雜的二氧化鈰顆粒，其特征在于，所述顆粒包含相對于總金屬含量0.1到15原子％的摻雜元素。

3.權利要求1或2所述的釔摻雜的二氧化鈰顆粒，其特征在于，所述顆粒進一步包含不可避免的雜質。

4.權利要求1到3中任一項所述的釔摻雜的二氧化鈰顆粒用于制備包含分散體、懸浮體和漿體之一的流體混合物的用途。

5.包含權利要求1到4中任一項所述的釔摻雜的二氧化鈰顆粒的流體混合物。

6.用于合成權利要求1到3中任一項所述的釔摻雜的二氧化鈰顆粒的氣相方法，包括如下步驟：

-提供熱氣流；和，

-向所述氣流中引入含鈰反應物、含釔反應物和含氧反應物；

選擇所述氣流的溫度以霧化所述反應物，選擇所述反應物以在冷卻時形成釔摻雜的二氧化鈰顆粒。

7.權利要求6所述的方法，其特征在于，所述含鈰反應物包括鈰的氯化物、碳酸鹽、氧化物、硫酸鹽、硝酸鹽、乙酸鹽和有機金屬鈰化合物中的一種或者多種。

8.權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述含釔反應物包括釔的氯化物、碳酸鹽、氧化物、硫酸鹽、硝酸鹽、乙酸鹽和有機金屬釔化合物中的一種或者多種。

9.權利要求6到8中任一項所述的方法，其特征在于，所述含氧反應物被包含在含鈰反應物和含釔反應物之一或者二者中。

10.權利要求6到9中任一項所述的方法，其特征在于，所述熱氣流是通過氣體燃燒器、熱壁反應器、射頻或直流電弧等離子體中之一產生的。

11.權利要求6到10中任一項所述的方法，其特征在于，在所述氣流中形成摻雜釔的二氧化鈰顆粒后，驟冷所述氣流。

12.用于拋光基材的方法，包括如下步驟：

-提供CMP設備，所述CMP設備包括基材載體、旋轉拋光墊和用于將研磨劑漿料供給至拋光墊上的裝置；

-將待拋光的基材置于所述基材載體上；

-將所述基材壓向所述旋轉拋光墊；和，

-將足量的研磨劑漿料供給至所述拋光墊上；

其特征在于，所述研磨劑漿料是根據權利要求5所述的流體混合物。

13.權利要求12所述的方法，其特征在于，所述基材包括二氧化硅、氮化硅、銅、銅阻障和鎢中的一種或多種物質的涂層，或者包含類玻璃表面。