[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積法用材料和含硅絕緣膜及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980104520.4
• 申請日: 2009-03-24
• 公開（公告）號: CN101939465A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 中川恭志;野邊洋平;鄭康巨;齊藤隆一;小久保輝一
• 申請（專利權(quán)）人: JSR株式會社
• 主分類號: C23C16/42
• 分類號: C23C16/42;C08G77/50;H01L21/312;H01L21/316;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 左嘉勛;顧晉偉

1.一種化學(xué)氣相沉積法用材料，含有下述通式(1)表示的有機(jī)硅烷化合物，

式中，R¹和R²相同或不同，表示氫原子、碳原子數(shù)1～4的烷基、乙烯基或苯基；R³和R⁴相同或不同，表示碳原子數(shù)1～4的烷基、乙酰基或苯基；m和m’相同或不同，表示0～2的整數(shù)；n表示1～3的整數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法用材料，其中，m＝m’。

3.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積法用材料，其中，m＝m’＝1或2。

4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法用材料，其中，m＝0且m’＝1。

5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積法用材料，其中，m＝2且m’＝0～1。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的化學(xué)氣相沉積法用材料，其中，n＝1。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的化學(xué)氣相沉積法用材料，用于形成含有硅、碳、氧及氫的絕緣膜。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項所述的化學(xué)氣相沉積法用材料，其中，除硅、碳、氧及氫以外的元素的含量不足10ppb，且含水量不足0.1％。

9.一種含硅絕緣膜，其是使用權(quán)利要求1～8中任一項所述的化學(xué)氣相沉積法用材料、采用化學(xué)氣相沉積法而形成的。

10.一種含硅絕緣膜的制造方法，包括：

采用化學(xué)氣相沉積法使權(quán)利要求1～9中任一項所述的化學(xué)氣相沉積法用材料堆積在基板上而形成堆積膜的工序；和

對所述堆積膜進(jìn)行選自加熱、電子束照射、紫外線照射及氧等離子體中的至少一種固化處理的工序。

11.一種含硅絕緣膜的制造方法，包括：

采用化學(xué)氣相沉積法將權(quán)利要求1～9中任一項所述的化學(xué)氣相沉積法用材料和空孔形成劑供給基板而形成堆積膜的工序。

12.一種含硅絕緣膜，采用權(quán)利要求10或11所述的含硅絕緣膜的制造方法而制得。

13.如權(quán)利要求9或12所述的含硅絕緣膜，含有-Si-(CH₂)_n-Si-O-部分，其中，n表示1～3的整數(shù)。

14.如權(quán)利要求9、12及13中任一項所述的含硅絕緣膜，其中，介電常數(shù)在3.0以下。