[發明專利]半導體用膜、半導體裝置的制造方法以及半導體裝置

有效

• 申請號: 200980104428.8
• 申請日: 2009-02-06
• 公開（公告）號: CN101939825A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 平野孝
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;C09J7/02;C09J201/00;H01L21/304;H01L21/52;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 菅興成;吳小瑛

1.一種半導體用膜，其具有片狀基材和設置于該片狀基材的一個方向的面上的接合劑層，其特征在于，

所述接合劑層由含有可交聯反應的樹脂和具有焊劑活性的化合物的樹脂組合物構成。

2.如權利要求1所述的半導體用膜，其中，其是通過使半導體元件的電極端子面與所述半導體用膜的所述接合劑層粘合來使用。

3.如權利要求1所述的半導體用膜，其中，其是通過使倒裝芯片型的半導體元件的功能面與所述半導體用膜的所述接合劑層粘合來使用。

4.如權利要求3所述的半導體用膜，其中，所述半導體用膜的所述接合劑層具有下述特性：

在從常溫開始以10℃/分鐘的升溫速度升溫至熔融狀態時，在初期熔融粘度開始減少，當減少到最低熔融粘度后進一步上升，并且，

所述最低熔融粘度為10Pa·s以上、10000Pa·s以下。

5.如權利要求1所述的半導體用膜，其中，在所述片狀基材與所述接合劑層之間還具有脫模膜。

6.如權利要求1所述的半導體用膜，其中，在所述半導體用膜的所述接合劑層粘合于半導體元件表面的狀態下，所述半導體元件的所述表面具有可識別程度的透明性。

7.如權利要求1所述的半導體用膜，其中，所述樹脂組合物還含有成膜性樹脂。

8.如權利要求7所述的半導體用膜，其中，所述樹脂組合物還含有固化劑。

9.如權利要求8所述的半導體用膜，其中，所述樹脂組合物還含有無機填充劑。

10.如權利要求9所述的半導體用膜，其中，所述無機填充劑的平均粒徑為0.5μm以下。

11.如權利要求1所述的半導體用膜，其中，所述具有焊劑活性的化合物是具有焊劑活性的固化劑。

12.如權利要求1所述的半導體用膜，其中，所述具有焊劑活性的化合物是具有羧基和酚性羥基中的至少一種的化合物。

13.如權利要求1所述的半導體用膜，其中，其用于使半導體元件與含有基板和在該基板的一個方向的面上裝載的其它半導體元件的結構體上的其它半導體元件粘合，

其通過使所述半導體元件與所述半導體用膜的所述接合劑層粘合來使用。

14.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：

使權利要求1所述的半導體用膜的所述接合劑層與半導體晶片的一個方向的面粘合的粘合工序；

在粘合有所述半導體用膜的狀態下，使所述半導體晶片單片化，獲得半導體元件的單片化工序；

在所述片狀基材與所述接合劑層之間剝離所述半導體用膜，拾取具有所述接合劑層的半導體元件的拾取工序；以及，

以與所述接合劑層粘合的方式，在含有基板的結構體上裝載所述半導體元件的裝載工序。

15.如權利要求14所述的半導體裝置的制造方法，其中，在所述粘合工序與所述單片化工序之間，還包括研磨所述半導體晶片的與所述功能面相對側的面的研磨工序。

16.如權利要求15所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述結構體具有所述基板和在該基板的一個方向的面上裝載的其它半導體元件，

在所述裝載工序中，在所述結構體的所述其它半導體元件的另一個方向的面上裝載所述半導體元件。

17.如權利要求16所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述結構體是：所述其它半導體元件與所述基板，通過由含有可交聯反應的樹脂和具有焊劑活性的化合物的樹脂組合物的固化物構成的其它接合層，預先接合而成的結構體。

18.如權利要求17所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述半導體晶片的所述一個方向的面，是預先形成有突起電極的半導體晶片的功能面。

19.如權利要求18所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述半導體晶片，具有在厚度方向上貫通的多個導體部，

在所述單片化工序中，作為所述半導體元件，獲得具有在厚度方向上貫通的導體部的半導體元件。

20.一種半導體裝置，其特征在于，具有權利要求1所述的半導體用膜的所述接合劑層的固化物。