[發明專利]采用自組裝材料的圖形形成

有效

• 申請號: 200980104087.4
• 申請日: 2009-02-03
• 公開（公告）號: CN101939253A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: C·T·布萊克;T·J·達爾頓;B·B·多里斯;C·拉登斯
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;楊曉光

1.一種在襯底上形成納米尺寸圖形的方法，所述方法包括以下步驟：

形成第一模板層(20A)，其包圍襯底上的預定區域；

在所述第一模板層(20A)中構圖第一開口(O1)，每個第一開口(O1)具有正六邊形的形狀，其中所述第一開口(O1)被排列為第一六邊形陣列；

在所述第一開口(O1)中形成第一納米尺寸自組裝自對準結構(40A，50A)；

在所述第一納米尺寸自組裝自對準結構(40A，50A)上形成包圍所述區域的第二模板層(20B)；

在所述第二模板層(20B)中構圖第二開口(O2)，每個第二開口(O2)具有所述正六邊形的形狀，其中所述第二開口(O2)被排列為第二六邊形陣列；

在所述第二開口(O2)中形成第二納米尺寸自組裝自對準結構(40B)；

在所述第一和第二納米尺寸自組裝自對準結構(40A，50A，40B)上形成包圍所述區域的第三模板層(30C)；

在所述第三模板層(30C)中構圖第三開口(O3)，每個第三開口(O3)具有所述正六邊形的形狀，其中所述第三開口(O3)被排列為第三六邊形陣列；以及

在所述第三開口(O3)中形成第三納米尺寸自組裝自對準結構(40C，50C)。

2.根據權利要求1的方法，其中所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口中的每一個不與任何其它的所述第一開口、所述第二開口和所述第三開口重迭。

3.根據權利要求2的方法，其中所述預定區域與所述第一開口的組合區域、所述第二開口的組合區域和所述第三開口的組合區域的并集相同。

4.根據權利要求1的方法，其中所述第二六邊形陣列從所述第一六邊形陣列偏移所述正六邊形的一個例元，其中所述第三六邊形陣列從所述第一六邊形陣列偏移所述正六邊形的另一個例元，且其中所述第三六邊形陣列從所述第二六邊形陣列偏移所述正六邊形的再一個例元。

5.根據權利要求1的方法，其中所述第一、第二和第三納米尺寸自組裝自對準結構中的每一個與所述第一、第二和第三納米尺寸自組裝自對準結構中的另一個一致。

6.根據權利要求1的方法，還包括以下步驟：

在所述形成第一納米尺寸自組裝自對準結構之前，在每一個所述第一開口內施加非光敏性聚合物抗蝕劑，所述非光敏性聚合物抗蝕劑含有第一聚合物嵌段成分與第二聚合物嵌段成分；

在所述形成第二納米尺寸自組裝自對準結構之前，在每一個所述第二開口內施加所述非光敏性聚合物抗蝕劑；以及

在所述形成第三納米尺寸自組裝自對準結構之前，在每一個所述第三開口內施加所述非光敏性聚合物抗蝕劑。

7.根據權利要求1的方法，其中每一個所述第一、第二和第三納米尺寸自組裝自對準結構包括聚合物基體和至少一個圓形圓柱體，所述至少一個圓形圓柱體含有所述第一聚合物嵌段成分，所述聚合物基體含有所述第二聚合物嵌段成分并橫向鄰接所述至少一個圓形圓柱體。

8.根據權利要求7的方法，其中每一個所述第一、第二和第三納米尺寸自組裝自對準結構還包括三分之一圓形圓柱體的六個例元，每一個例元具有所述至少一個圓形圓柱體的總體積的三分之一的體積且在脊部處具有120度的角。

9.根據權利要求8的方法，其中所述六個例元和所述聚合物基體橫向鄰接所述第一、第二和第三開口中的一個的邊界。

10.根據權利要求7的方法，其中每一個所述第一、第二和第三納米尺寸自組裝自對準結構包括聚合物基體和多個圓形圓柱體，所述多個圓形圓柱體含有所述第一聚合物嵌段成分，所述聚合物基體含有所述第二聚合物嵌段成分并橫向鄰接所述至少一個圓形圓柱體，其中所述多個圓形圓柱體中的每一個從所述第一、第二和第三開口的邊界分離。

11.根據權利要求7的方法，還包括相對于所述圓形圓柱體的組和所述聚合物基體的組中的一者而選擇性地蝕刻所述圓形圓柱體的所述組和所述聚合物基體的所述組中的另一者。

12.根據權利要求11的方法，還包括利用所述圓形圓柱體和所述聚合物基體的剩余部分作為蝕刻掩模，在所述襯底中形成具有亞光刻尺寸的圖形。