[發明專利]太陽能電池元件的制造方法及太陽能電池元件

無效

• 申請號: 200980104057.3
• 申請日: 2009-02-06
• 公開（公告）號: CN101939844A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 新樂浩一;西村剛太;伊藤憲和;稻葉真一郎
• 申請（專利權）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 朱丹

1.一種太陽能電池元件的制造方法，其特征在于，具備：

準備形成有透明導電膜的透明基板的工序、

在所述透明導電膜上附著n型摻雜劑的工序、

在所述透明導電膜上依次形成p型層、i型層、及n型層的工序。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池元件的制造方法，其特征在于，

在所述透明導電膜上附著所述n型摻雜劑的工序具有：

使n型摻雜劑供給氣體等離子化的工序、

將所述等離子化的n型摻雜劑附著在所述透明導電膜上的工序。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池元件的制造方法，其特征在于，

所述n型摻雜劑供給氣體為用H₂氣對PH₃氣進行了稀釋的氣體。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池元件的制造方法，其特征在于，

還具有在等離子CVD裝置內的托盤上配置所述透明基板的工序，

使所述n型摻雜劑附著在所述透明導電膜上的工序具有：

在沒有被所述透明基板覆蓋的所述托盤的區域載置磷供給源的工序、

利用在形成所述p型層時產生的等離子氣體對所述磷供給源進行蝕刻的工序、

在形成所述p型層時，使所述等離子氣體中含有磷的工序、

在所述透明導電膜上附著磷的工序。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池元件的制造方法，其特征在于，所述磷供給源為設置于沒有被所述透明基板覆蓋的所述托盤的區域的含磷部件。

6.根據權利要求4所述的太陽能電池元件的制造方法，其特征在于，所述磷供給源為摻雜磷的非晶質系硅。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的太陽能電池元件的制造方法，其特征在于，具有如下工序，即，使磷附著在所述透明導電膜上作為所述n型摻雜劑，將基于所述太陽能電池元件的深度方向的濃度分布而確定的、所述i型層中的硼的擴散范圍內的硼和磷的濃度差的算術平均值ΔCav設定為

1.1×10¹⁷(cm^-3)≤ΔCav≤1.6×10¹⁷(cm^-3)。

8.一種太陽能電池元件的制造方法，通過在等離子CVD裝置內的托盤上配置形成有第一透明導電膜的第一透明基板的工序、將n型摻雜劑附著在所述第一透明導電膜和沒有被所述第一透明基板覆蓋的所述托盤的區域的工序、在所述第一透明導電膜上依次形成p型層、i型層、及n型層的工序，來制造第一太陽能電池元件，然后，

通過以下工序制造第二太陽能電池元件，即：

準備形成有第二透明導電膜的第二透明基板的工序、

將所述第二透明基板配置于所述托盤上的工序、

在所述第二透明導電膜上，使用由在形成所述第一太陽能電池元件的n型層時附著于沒有被所述第一透明基板覆蓋的所述托盤的區域的非晶質系硅構成的n型層，來使n型摻雜劑附著的工序、

在所述第二透明導電膜上依次形成p型層、i型層、及n型層的工序。

9.一種太陽能電池元件，其特征在于，具備：透明基板、形成于所述透明基板上的透明導電膜、在所述透明導電膜上層疊形成的均由非晶硅構成的p型層、i型層、及n型層、形成于所述n型層上的導電體層，

基于所述太陽能電池元件的深度方向的濃度分布而確定的、所述i型層中的硼的擴散范圍內的硼和磷的濃度差的算術平均值ΔCav為：

1.1×10¹⁷(cm^-3)≤ΔCav≤1.6×10¹⁷(cm^-3)。