[發明專利]陶瓷多層基板的制造方法及陶瓷多層基板

有效

• 申請號: 200980103920.3
• 申請日: 2009-01-23
• 公開（公告）號: CN101933409A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 近川修
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H05K3/46
• 分類號: H05K3/46
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種陶瓷多層基板的制造方法，

通過對陶瓷生片層疊體和芯片型陶瓷電子元器件同時進行燒成，從而制造內置芯片型陶瓷電子元器件的陶瓷多層基板，所述陶瓷生片層疊體由多層陶瓷生片層層疊而成并具有導體圖案，所述芯片型陶瓷電子元器件具有陶瓷燒結體和端子電極，且配置于所述陶瓷生片層疊體的內部，并且所述端子電極與所述導體圖案電連接，其特征在于，

包含以下兩個工序：

第一工序，該第一工序在所述陶瓷生片層的與所述芯片型陶瓷電子元器件相接的部位形成緊貼防止劑層；以及

第二工序，該第二工序對所述陶瓷生片層疊體和所述芯片型陶瓷電子元器件進行燒成來燒去所述緊貼防止劑層。

2.如權利要求1所述的陶瓷多層基板的制造方法，其特征在于，

包含在所述芯片型陶瓷電子元器件的兩面配置所述緊貼防止劑層的工序。

3.如權利要求1或2所述的陶瓷多層基板的制造方法，其特征在于，

所述緊貼防止劑是樹脂糊料，在所述第一工序中，將所述樹脂糊料涂布在所述陶瓷生片層上。

4.如權利要求1或2所述的陶瓷多層基板的制造方法，其特征在于，

所述緊貼防止劑包含在低氧氣氛中不被燒去而在高氧氣氛中被燒去的燒去材料，

在所述第一工序中，將由所述燒去材料構成的糊料涂布到所述陶瓷生片層上，

在所述第二工序中，在低氧氣氛中對所述陶瓷生片層疊體和所述芯片型陶瓷電子元器件進行燒成后，再次在高氧氣氛中對所述陶瓷生片層疊體和所述芯片型陶瓷電子元器件進行燒成，從而使所述燒去材料燒去。

5.如權利要求4所述的陶瓷多層基板的制造方法，其特征在于，

所述燒去材料是碳。

6.如權利要求1至5的任一項所述的陶瓷多層基板的制造方法，其特征在于，

包含在所述緊貼防止劑層的與所述芯片型陶瓷電子元器件的端子電極重疊的部位形成過孔、并向所述過孔填充導電性糊料的工序。

7.如權利要求1至6的任一項所述的陶瓷多層基板的制造方法，其特征在于，

在所述陶瓷生片層疊體的至少一個主面配置了由在所述陶瓷生片層疊體的燒成溫度下不燒結的無機材料構成的約束層的狀態下，對所述陶瓷生片層疊體和所述芯片型陶瓷電子元器件進行燒成。

8.如權利要求1至7的任一項所述的陶瓷多層基板的制造方法，其特征在于，

所述陶瓷生片層疊體的燒結體的熱膨脹系數和構成所述芯片型陶瓷電子元器件的陶瓷燒結體的熱膨脹系數實質上相等。

9.一種陶瓷多層基板，

包括：陶瓷層疊體，該陶瓷層疊體由多層陶瓷層層疊而成且具有導體圖案；以及芯片型陶瓷電子元器件，該芯片型陶瓷電子元器件設置于上下陶瓷層的界面且具有與陶瓷燒結體及所述導體圖案電連接的端子電極，其特征在于，

在所述陶瓷層和所述芯片型陶瓷電子元器件的界面存在空隙，并且，

所述芯片型陶瓷電子元器件的端子電極和所述導體圖案通過形成于所述空隙的突起電極來進行電連接。

10.如權利要求9所述的陶瓷多層基板，其特征在于，

所述突起電極直接與和所述空隙相接的陶瓷層中形成的過孔導體相連接。

11.如權利要求9或10所述的陶瓷多層基板，其特征在于，

將所述芯片型陶瓷電子元器件的端子電極沿所述陶瓷層的層疊方向隔開間隔而配置。

12.如權利要求9至11的任一項所述的陶瓷多層基板，其特征在于，

所述突起電極由富有延展性的材料形成。

13.如權利要求12所述的陶瓷多層基板，其特征在于，

所述富有延展性的材料是銀。