[發明專利]用以制造復合氮化物半導體元件的處理系統無效
| 申請號: | 200980103690.0 | 申請日: | 2009-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN101933131A | 公開(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發明(設計)人: | 布賴恩·H·伯羅斯;洛里·D·華盛頓;羅納德·史蒂文斯;肯里克·T·喬伊;安東尼·F·懷特;羅杰·N·安德森;桑迪普·尼杰霍安;喬舒亞·J·波德斯塔;亞歷山大·塔姆 | 申請(專利權)人: | 應用材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用以 制造 復合 氮化物 半導體 元件 處理 系統 | ||
1.(原始)一種用以制造復合氮化物半導體元件的集成的處理系統,包含:
一或多個壁,該一或多個壁形成一傳送區;
一機械手,該機械手經設置于該傳送區中;
一或多個處理腔室,可操作該一或多個處理腔室以在一基板上形成一或多個復合氮化物半導體層,該一或多個處理腔室可傳送式地聯通該傳送區;
一加載鎖定腔室,該加載鎖定腔室可傳送式地聯通該傳送區,該加載鎖定腔室具有一進氣閥與一排氣閥用以接收至少一個基板到一真空環境中;和
一加載站,與該加載鎖定腔室聯通,其中該加載站包含一輸送盤,可移動該輸送盤以輸送加載有一或多個基板的一承載板進入該加載鎖定腔室內。
2.(原始)如權利要求1所述的系統,其中該一或多個處理腔室包含一金屬-有機化學氣相沉積(MOCVD)腔室。
3.(原始)如權利要求2所述的系統,其中該一或多個處理腔室包含一氫化物氣相外延沉積(HVPE)腔室。
4.(原始)如權利要求1所述的系統,其中該加載站包含一軌道,可供該輸送盤沿著該軌道移動。
5.(原始)如權利要求1所述的系統,其中該輸送盤是在一使用者所施加的一手動力下移動。
6.(原始)如權利要求1所述的系統,其中該輸送盤是由一氣動式致動器所驅動。
7.(原始)如權利要求1所述的系統,更包含一批量加載鎖定腔室,該批量加載鎖定腔室可傳送式地聯通該傳送腔室,該批量加載鎖定腔室是經配置以儲存多個承載板。
8.(原始)一種用以制造復合氮化物半導體元件的處理系統,包含:
一或多個壁,該一或多個壁形成一傳送區;
一機械手,該機械手經設置于該傳送區中;
一第一處理腔室,該第一處理腔室與該傳送區聯通,其中該第一處理腔室包含:
一基板支撐件,該基板支撐件位于該處理腔室的一處理容積內;
一噴頭,界定出該處理區的一頂部分;
多個燈,形成一或多個位于該處理區下方的區域且適于引導輻射熱朝向該基板支撐件以創建出一或多個輻射熱區;
一加載鎖定腔室,該加載鎖定腔室可傳送式地與該傳送區聯通;及
一加載站,與該加載鎖定腔室聯通,其中該加載站包含一輸送盤,可移動該輸送盤以輸送加載有一或多個基板的一承載板進入該加載鎖定腔室內。
9.(原始)如權利要求8所述的系統,更包含一與該傳送腔室耦接的氫化物氣相外延(HVPE)腔室。
10.(原始)如權利要求8所述的系統,更包含一承載板,其位于該基板支撐件上,該承載板具有多個用以接收多個基板的凹陷區。
11.(原始)如權利要求8所述的系統,其中該加載站包含一軌道,可供該輸送盤沿著該軌道而移動。
12.(原始)如權利要求8所述的系統,其中該輸送盤是在一使用者所施加的一手動力下移動。
13.(原始)如權利要求8所述的系統,其中該輸送盤是由一氣動式致動器所驅動。
14.(原始)如權利要求8所述的系統,其中該加載站包含一蓋,可操作該蓋以于該輸送盤上方關閉。
15.(原始)如權利要求8所述的系統,更包含一批量加載鎖定腔室,該批量加載鎖定腔室與該傳送腔室耦接。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





