[發明專利]多晶MgO燒結體及其制造方法以及濺射用MgO靶材

無效

• 申請號: 200980103400.2
• 申請日: 2009-01-27
• 公開（公告）號: CN101925555A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發明（設計）人: 永野光芳;高巢正信;在田洋;佐野聰
• 申請（專利權）人: 日本鎢合金株式會社;宇部材料工業株式會社
• 主分類號: C04B35/053
• 分類號: C04B35/053;C23C14/34
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

1.一種多晶MgO燒結體，其經由單向加壓燒結MgO原料粉末的工序而得到，其中，多晶MgO燒結體中的MgO的X射線衍射得到的強度比與式(1)表示的(111)面的比率α(111)的值相關，在將施加有單向壓力的面的值設為αV(111)、將與施加有單向壓力的面垂直的面的值設為αH(111)時，αV(111)/αH(111)＞1.5，

α(111)＝{-0.4434(Ra)2+1.4434*Ra}...(1)

在此，Ra＝I(111)/(I(111)+I(200))

I(111)：MgO的(111)面的X射線衍射強度

I(200)：MgO的(200)面的X射線衍射強度。

2.權利要求1所述的多晶MgO燒結體，其中，平均結晶粒徑為30μm以下。

3.權利要求1或2所述的多晶MgO燒結體，其中，MgO的純度為99.99％以上。

4.一種濺射用MgO靶材，其由權利要求1～3中任一項所述的多晶MgO燒結體形成。

5.權利要求1所述的多晶MgO燒結體的制造方法，其中，包括：單向加壓燒結粒徑為1μm以下的MgO原料粉末的工序；在該單向加壓燒結工序之后，在存在0.05體積％以上氧的氣氛下，以1273K以上的溫度熱處理1分鐘以上的工序。

6.權利要求5所述的多晶MgO燒結體的制造方法，其中，MgO原料粉末含有0.01～0.2質量％的Mg(OH)₂。

7.權利要求5或6所述的多晶MgO燒結體的制造方法，其中，MgO原料粉末的雜質濃度小于0.01質量％。

8.權利要求5～7中任一項所述的多晶MgO燒結體的制造方法，其中，在單向加壓燒結工序中施加的壓力為5MPa以上。