[發(fā)明專利]回授式組件塊與二極管橋式整流器及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980102923.5 | 申請日： | 2009-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN102027594A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | A·安庫迪諾伍;V·諾杜伍 | 申請（專利權(quán)）人： | 意法半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 瑞士;CH |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 回授式 組件 二極管 整流器 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種可用作半電橋的半導體器件，包括：
第一漏極接點，可操作地耦合到第一柵極區(qū)、第一源極區(qū)和第一探測極區(qū)，
第二漏極接點，可操作地耦合到第二柵極區(qū)、第二源極區(qū)和第二探測極區(qū)，
第一源極接點，
所述第一探測極區(qū)連接到所述第二柵極區(qū)，
所述第一柵極區(qū)連接到所述第二探測極區(qū)，
所述第一源極區(qū)連接到所述第二源極區(qū)，并連接到所述第一源極接點。
2.一種用于制造半導體器件的方法，包括以下步驟：
在襯底中沉積第一和第二源極結(jié)構(gòu)；
在襯底上沉積柵極結(jié)構(gòu)；
在襯底上接出漏極接點；以及
在所述第一和第二源極結(jié)構(gòu)之間沉積探測極結(jié)構(gòu)，用于控制所述源極和漏極結(jié)構(gòu)之間的電流。
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