[發明專利]非晶碳膜的處理方法以及使用其的半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 200980102550.1
• 申請日: 2009-01-09
• 公開（公告）號: CN101919031A
• 公開（公告）日: 2010-12-15
• 發明（設計）人: 石川拓;松岡孝明
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/314
• 分類號: H01L21/314;H01L21/3065
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 肖善強;南霆

1.一種非晶碳膜的處理方法，其中，所述非晶碳膜被形成在襯底上，并在被干蝕刻后實施了濕式洗滌處理，所述非晶碳膜的處理方法包括以下步驟：

準備具有經濕式洗滌處理后的非晶碳膜的襯底；以及

在向所述經濕式洗滌處理后的非晶碳膜上形成上層之前，進行非晶碳膜的表面改性處理。

2.如權利要求1所述的非晶碳膜的處理方法，其中，所述表面改性處理是使硅烷基化試劑接觸非晶碳膜的硅烷化處理。

3.如權利要求2所述的非晶碳膜的處理方法，其中，所述硅烷化處理通過使硅烷基化試劑的蒸氣接觸所述非晶碳膜的表面來進行。

4.如權利要求3所述的非晶碳膜的處理方法，其中，所述硅烷化處理在室溫～200℃的溫度下進行。

5.如權利要求2所述的非晶碳膜的處理方法，其中，所述硅烷基化試劑是從下述群中選擇的一種或兩種以上：

六甲基二硅烷(HMDS：Hexamethyldisilan)、

二甲基硅烷基二甲基胺(DMSDMA：Dimethylsilyldimethylamine)、

二甲基氨基三甲基硅烷(TMSDMA：Dimethylaminotrimethylsilane)、

1，1，3，3-四甲基二硅氮烷(TMDS：1，1，3，3-Tetramethyldisilazane)、

1-三甲基硅烷基吡咯(TMSPyrole：1-Trimethylsilylpyrole)、

N，O-雙(三甲基硅烷基)三氟乙酰胺(BSTFA：N，O-Bis(trimethylsilyl)trifluoroacetamide)、

雙(二甲基氨基)二甲基硅烷(BDMADMS：Bis(dimethylamino)dimethylsilane)。

6.如權利要求1所述的非晶碳膜的處理方法，其中，所述表面改性處理是使硅烷氣體接觸非晶碳膜的處理。

7.如權利要求1所述的非晶碳膜的處理方法，其中，在所述表面改性處理之前還包括以下步驟：進行去除所述經濕式洗滌處理后的非晶碳膜的表面氧化膜的處理。

8.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上形成包含非晶碳膜的層間絕緣膜；

對所述層間絕緣膜實施干蝕刻，以形成通孔或溝槽；

對實施了所述干蝕刻的層間絕緣膜實施濕式洗滌處理；

在濕式洗滌處理后，進行非晶碳膜的表面改性處理；

在表面改性處理后，形成阻擋膜作為非晶碳膜的上層；以及

在所述通孔或溝槽中埋入布線金屬。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其中，所述表面改性處理是使硅烷基化試劑接觸非晶碳膜的硅烷化處理。

10.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中，所述硅烷化處理通過使硅烷基化試劑的蒸氣接觸所述非晶碳膜的表面來進行。

11.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中，所述硅烷化處理在室溫～200℃的溫度下進行。

12.如權利要求9所述的半導體器件的制造方法，其中，所述硅烷基化試劑是從下述群中選擇的一種或兩種以上：

六甲基二硅烷(HMDS：Hexamethyldisilan)、

二甲基硅烷基二甲基胺(DMSDMA：Dimethylsilyldimethylamine)、

二甲基氨基三甲基硅烷(TMSDMA：Dimethylaminotrimethylsilane)、

1，1，3，3-四甲基二硅氮烷(TMDS：1，1，3，3-Tetramethyldisilazane)、

1-三甲基硅烷基吡咯(TMSPyrole：1-Trimethylsilylpyrole)、

N，O-雙(三甲基硅烷基)三氟乙酰胺(BSTFA：N，O-Bis(trimethylsilyl)trifluoroacetamide)、

雙(二甲基氨基)二甲基硅烷(BDMADMS：Bis(dimethylamino)dimethylsilane)。

13.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其中，所述表面改性處理是使硅烷氣體接觸非晶碳膜的處理。