[發明專利]封裝空腔的清潔和密封

無效

• 申請號: 200980102527.2
• 申請日: 2009-01-21
• 公開（公告）號: CN101918304A
• 公開（公告）日: 2010-12-15
• 發明（設計）人: 埃里克·卡德蘭;斯蒂芬·貝林格爾
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種方法，包括：

-提供第一組件和第二組件，第一組件的表面與第二組件的相應表面鍵合，使得第一組件的表面與第二組件的相應表面之間包圍空腔；

-將第一鍵合材料的第一環沉積到第一組件的表面上，第一環具有描繪空腔周緣輪廓的預定的形狀以及預定的厚度；

-將第二鍵合材料的第二環沉積到第二組件的表面上，第二環具有與第一環的形狀相對應的預定的形狀以及預定的厚度，第二環包括預定的凸起圖案，使得在第二鍵合材料的回流之前能在空腔內的氣氛與空腔外的氣氛之間交換氣態材料；

-提供氣態脫氧材料；

-臨時鍵合第一鍵合材料和第二鍵合材料；

-實質上去除氣態脫氧材料；以及

-使第二鍵合材料回流以與第一鍵合材料鍵合。

2.根據權利要求1所述的方法，包括：確定凸起圖案，使得第二環的預定的第一部分具有在第二組件的表面以上的預定的第一高度，第二環的預定的第二部分具有在第二組件的表面以上的預定的第二高度，其中，第二高度大于第一高度。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，確定凸起圖案，使得第二環包括至少兩個第一部分以及至少兩個第二部分。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，確定第二環的形狀，使得第二環實質上是矩形。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，具有第二高度的部分實質上位于矩形的拐角處。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，具有第二高度的部分在第二組件的表面上具有實質上環形的投影。

7.根據權利要求4所述的方法，其中，具有第一高度的部分實質上位于矩形的拐角處。

8.根據權利要求1所述的方法，包括：

-將第一鍵合材料沉積到被布置在第一組件表面上的接觸焊盤上；以及

-將第二鍵合材料沉積到被布置在第二組件表面上的相應接觸焊盤上。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，將第一鍵合材料和第二鍵合材料沉積到被布置在第一環和第二環所包圍的相應表面區域上的接觸焊盤上。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，提供氣態脫氧材料包括提供酸蒸汽。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，提供酸蒸汽包括提供甲酸蒸汽。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，臨時鍵合第一環和第二環包括熱壓。

13.根據權利要求9所述的方法，其中，沉積第一鍵合材料包括沉積鎳然后沉積金。

14.根據權利要求9所述的方法，其中，沉積第一鍵合材料包括化學鎳金工藝。

15.根據權利要求9所述的方法，其中，沉積第二鍵合材料包括沉積銅然后沉積錫。

16.根據權利要求15所述的方法，包括：在沉積銅之前沉積鎳。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，使用電鍍工藝來沉積第二鍵合材料。

18.根據權利要求1所述的方法，包括：在回流期間在第一鍵合材料和第二鍵合材料上施加預定量的壓力。

19.根據權利要求1所述的方法，包括在回流之前提供以下項目之一：實質上惰性的氣體和實質上的真空。

20.根據權利要求1所述的方法，其中，第一組件和第二組件由半導體材料制成。