[發明專利]晶片堆的清洗

有效

• 申請號: 200980102316.9
• 申請日: 2009-01-15
• 公開（公告）號: CN102017063A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 佩爾·阿爾內·王;阿爾內·拉姆斯蘭;奧勒·克里斯蒂安·特朗魯德;埃里克·耶塔斯;本特·哈梅爾;安德烈·斯凱伊;奧拉·特朗魯德
• 申請（專利權）人: REC斯坎沃佛股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;B28D5/00;H01L21/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 蔡石蒙;車文

1.設置為用于表面清洗沿堆疊方向堆疊的太陽能電池晶片的設備，其包括至少一個噴嘴，所述噴嘴被設置為在垂直于所述堆疊方向的方向上向晶片堆發送流體射流，且所述設備被設置為提供在所述晶片堆和所述噴嘴之間沿所述堆疊方向的相對移動，

其特征在于，所述設備包括流體容器，并且所述晶片堆被浸入到所述流體容器中的流體中。

2.如權利要求1所述的設備，

其特征在于，所述至少一個噴嘴被浸入到所述流體容器中的流體中。

3.如權利要求1所述的設備，

其特征在于，所述設備包括基本位于垂直于所述堆疊方向的共同平面中的兩個或更多個噴嘴。

4.如權利要求3所述的設備，

其特征在于，所述設備包括位于垂直于所述堆疊方向的若干個平面中的噴嘴。

5.如權利要求1所述的設備，

其特征在于，所述晶片堆通過粘性層而沿一個邊緣保持在一起。

6.用于表面清洗晶片或襯底的方法，所述晶片或襯底沿堆疊方向堆疊，所述方法包括以下步驟：通過至少一個噴嘴并在垂直于所述堆疊方向的方向上向晶片堆發送流體射流；以及提供在所述晶片堆和所述噴嘴之間沿所述堆疊方向的相對移動，

其特征在于，所述晶片堆被浸入到流體中。

7.如權利要求6所述的方法，

其特征在于，所述至少一個噴嘴被浸入到流體中。

8.如權利要求6所述的方法，

其特征在于，所述方法包括向所述晶片堆發送兩個或更多個流體射流，其中所述流體射流基本位于垂直于所述堆疊方向的共同平面中。

9.如權利要求8所述的方法，

其特征在于，所述方法包括發送基本位于垂直于所述堆疊方向的若干個平面中的流體射流。

10.如權利要求6所述的方法，

其特征在于，所述方法在沿晶片堆的一個邊緣設置有粘性層的晶片堆上實施。

11.如權利要求10所述的方法，

其特征在于，所述方法包括去除所述粘性層。