[發明專利]磁性硬硅光電倍增管

有效

• 申請號: 200980102166.1
• 申請日: 2009-01-07
• 公開（公告）號: CN101910868A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: V·舒爾茨
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號: G01T1/16
• 分類號: G01T1/16;G01T1/29
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王英;劉炳勝

1.一種輻射探測器，包括：

襯底(54)；

固態探測器元件(50)的二維陣列，其設置在所述襯底上或設置在所述襯底中并且定義探測器陣列區域(52)；

陽極和陰極電極(E_a、E_c)，其設置在所述襯底上或設置在所述襯底中；以及

導電連接線(60、64)，其設置在所述襯底上或設置在所述襯底中，并且可操作地使所述固態探測器元件在所述陽極和陰極電極之間并聯地電連接。

2.如權利要求1所述的輻射探測器，還包括：

閃爍體元件(40)，其與所述固態探測器元件(50)的二維陣列光學耦合，從而使得所述固態探測器元件的二維陣列探測所述閃爍體元件中所生成的閃爍。

3.如權利要求1所述的輻射探測器，其中，所述輻射探測器不包括任何具有大于所述探測器陣列區域(52)的十分之一的區域的平面導電層。

4.如權利要求1所述的輻射探測器，其中，所述導電連接線(60、64)具有E型或雙E型布局。

5.如權利要求4所述的輻射探測器，其中，所述固態探測器元件(50)包括雪崩光電二極管(D)。

6.如權利要求1所述的輻射探測器，其中，所述襯底(54)是硅襯底，并且，所述固態探測器元件(50)包括在所述硅襯底上或在所述硅襯底中單片地形成的基于硅的探測器元件。

7.如權利要求6所述的輻射探測器，其中，每個固態探測器元件(50)包括：

雪崩光電二極管(D)；以及

電阻(R)，其串聯地與所述雪崩光電二極管電連接。

8.如權利要求1所述的輻射探測器，其中，所述導電連接線(60、64)布置為與任何一個導電固態探測器元件(50)共同定義小于或大約是所述探測器陣列區域(52)的十分之一的最大區域。

9.如權利要求1所述的輻射探測器，其中，所述導電連接線包括分別與所述陽極和陰極電極(E_a、E_c)連接的陽極和陰極總線(60、64)，并且，所述陽極和陰極總線設置在所述探測器陣列區域(52)的相同側上。

10.如權利要求1所述的輻射探測器，其中，所述導電連接線包括分別與所述陽極和陰極電極(E_a、E_c)連接的陽極和陰極總線(60、64)，并且，所述陽極和陰極總線沿著穿過所述探測器陣列區域(52)的共同的總線路徑(70)設置。

11.如權利要求1所述的輻射探測器，其中，所述導電連接線(60、64)布置為與任何一個導電固態探測器元件(50)共同定義不包圍所述固態探測器元件的二維陣列的二維子陣列的最大區域。

12.一種成像系統，包括：

磁共振(MR)掃描器(10)；以及

正電子發射斷層攝影(PET)或單光子發射計算機斷層攝影(SPECT)成像系統，其布置為具有與所述MR掃描器所生成的磁場的某些相互作用，所述PET或SPECT成像系統包括閃爍體元件(40)和布置為探測所述閃爍體元件中所生成的閃爍的如權利要求1所述的輻射探測器。

13.一種輻射探測器，包括：

襯底(54)；

固態探測器元件(50)的二維陣列，其設置在所述襯底上或設置在所述襯底中并且定義探測器陣列區域(52)；

電極(E_c、E_a)，其設置在所述襯底上或設置在所述襯底中；以及

導電連接線(60、64)，其設置在所述襯底上或設置在所述襯底中，并且可操作地使所述固態探測器元件和所述電極電連接，所述導電連接線布置為與任何一個導電固態探測器元件共同定義小于或大約是所述探測器陣列區域的十分之一的最大區域。

14.如權利要求13所述的輻射探測器，還包括：

閃爍體元件(40)，其與固態探測器元件(50)的所述二維陣列光學耦合，從而固態探測器元件的所述二維陣列探測所述閃爍體元件中所生成的閃爍。

15.如權利要求13所述的輻射探測器，其中，所述導電連接線包括多個總線(60、64)，所述固態探測器元件(50)布置在從所述總線延伸的多個分支中，每個分支的探測器元件并聯地布置。