[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置、電子機器、半導(dǎo)體制造裝置及存儲介質(zhì)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980101317.1
• 申請日: 2009-01-20
• 公開（公告）號: CN101897016A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 松本賢治;伊藤仁;佐藤浩;小池淳一;根石浩司
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社;國立大學(xué)法人東北大學(xué)
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;C23C16/40;H01L21/285
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

工序(a)，對具有形成了凹部的層間絕緣膜、和以第一金屬作為主成分而向凹部的底面露出的下層金屬配線的基板，供給含有第二金屬的有機金屬化合物的蒸氣，通過所述含有第二金屬的有機金屬化合物與所述層間絕緣膜的成分的一部分反應(yīng)，而在所述層間絕緣膜的露出面形成作為所述第二金屬的化合物的防止第一金屬擴散的屏蔽膜；

工序(b)，然后在所述凹部內(nèi)嵌入以第一金屬作為主成分的金屬配線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述屏蔽膜形成工序(a)中，通過所述下層金屬配線不含有與所述含有第二金屬的有機金屬化合物反應(yīng)而形成第二金屬的化合物的成分，而不在所述向凹部的底面露出的下層金屬配線上形成屏蔽膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在形成所述屏蔽膜的工序(a)之前，進行工序(c)，即，將向形成于所述基板上的所述層間絕緣膜的凹部的底面露出的下層側(cè)的以第一金屬作為主成分的金屬配線的表面的金屬氧化物還原或蝕刻，除去或減少該金屬配線的表面的氧。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述形成屏蔽膜的工序(a)與所述嵌入以第一金屬作為主成分的金屬配線的工序(b)之間，進行在所述層間絕緣膜的表面及所述凹部內(nèi)形成由所述第一金屬構(gòu)成的種子層的工序。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述層間絕緣膜含有氧或碳。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述層間絕緣膜的表面附近或所述層間絕緣膜中的成分的一部分為氧、或水等含有氧原子的化合物、或碳。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第一金屬為選自Al、Cu、Ag中的一種以上的金屬。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第二金屬為選自Mg、Al、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ge、Y、Zr、Nb、Tc、Rh、Pd、Sn、Re、Pt中的一種以上的金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述形成屏蔽膜的工序(a)中，將所述基板加熱。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述含有第二金屬的有機金屬化合物不含有氧。

11.根據(jù)權(quán)利要求1～10中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述含有第二金屬的有機金屬化合物因氧的存在而發(fā)生分解反應(yīng)。

12.根據(jù)權(quán)利要求1～11中任意一項所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述層間絕緣膜由選自SiO膜、SiOF膜、SiC膜、SiOC膜、SiCOH膜、SiCN膜、多孔氧化硅膜、多孔甲基倍半硅氧烷膜、聚芳撐膜、注冊商標為SiLK的膜和氟碳膜中的一種以上的膜構(gòu)成。