[發明專利]太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 200980101219.8
• 申請日: 2009-04-17
• 公開（公告）號: CN101884116A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 李大龍;鄭智元;李賢鎬
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;湯俏

1.一種太陽能電池，該太陽能電池包括：

包括第一類型半導體和第二類型半導體的半導體單元；

電連接到所述半導體單元的電極；以及

位于所述半導體單元與所述電極之間的鈍化層，該鈍化層包括含有氧化硅(SiOx)的第一層、含有氮化硅(SiNx)的第二層、以及含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述第一層接觸所述半導體單元，所述第二層位于所述第一層之上，所述第三層位于所述第二層之上，并且

所述第一層的折射率小于所述第二層的折射率。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其中，所述第三層的折射率小于所述第二層的折射率，并且等于或大于所述第一層的折射率。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述第二層包括氫(H₂)。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述鈍化層位于所述半導體單元的與光入射表面相反的表面上。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池，該太陽能電池還包括位于所述半導體單元的所述光入射表面上的防反射層，

其中，所述防反射層含有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中，所述電極的一部分穿過所述鈍化層而電連接到所述半導體單元。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池，該太陽能電池還包括后表面場層，該后表面場層位于所述電極的穿過所述鈍化層而電連接到所述半導體單元的所述部分與所述半導體單元之間。

9.一種太陽能電池，該太陽能電池包括：

包括第一類型半導體和第二類型半導體的半導體單元；

電連接到所述半導體單元的電極；以及

位于所述半導體單元與所述電極之間的鈍化層，該鈍化層包括含有氧化硅(SiOx)的第一層和含有氮氧化硅(SiOxNy)的第二層。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池，其中，所述第一層接觸所述半導體單元，所述第二層位于所述第一層之上，并且

所述第一層的折射率小于所述第二層的折射率。

11.根據權利要求9所述的太陽能電池，其中，所述鈍化層還包括含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三層。

12.根據權利要求11所述的太陽能電池，其中，所述第一層接觸所述半導體單元，所述第二層位于所述第一層之上，所述第三層位于所述第二層之上，并且

所述第三層的折射率等于或小于所述第二層的折射率，并且等于或大于所述第一層的折射率。

13.一種太陽能電池的制造方法，所述太陽能電池包括半導體單元、電極、以及位于所述半導體單元與所述電極之間的鈍化層，該制造方法包括以下步驟：

在所述半導體單元上形成所述鈍化層，所述鈍化層包括含有氧化硅(SiOx)的第一層和含有氮氧化硅(SiOxNy)的第二層；

形成貫穿所述鈍化層的孔；以及

形成電極材料層，以在所述鈍化層上形成所述電極。

14.根據權利要求13所述的制造方法，其中，所述鈍化層還包括位于所述第一層與所述第二層之間的、含有氮化硅(SiNx)的第三層。

15.根據權利要求13所述的制造方法，其中，通過光刻、機械劃刻、刻蝕膏或激光燒蝕來形成所述孔。

16.根據權利要求13所述的制造方法，其中，所述孔的形成步驟包括將激光束照射到所述鈍化層上。

17.根據權利要求13所述的制造方法，其中，在所述電極層的形成步驟之后進行所述孔的形成步驟，并且，所述孔的形成步驟包括將激光束照射到所述電極材料層上。

18.根據權利要求13所述的制造方法，其中，所述電極材料層包括電極膏，該電極膏包括金屬粉末、溶劑和玻璃粉末。

19.根據權利要求18所述的制造方法，其中，所述金屬粉末包括鋁(Al)。