[發明專利]擴頻高頻加熱裝置

有效

• 申請號: 200980101214.5
• 申請日: 2009-05-08
• 公開（公告）號: CN101884245A
• 公開（公告）日: 2010-11-10
• 發明（設計）人: 石崎俊雄;岡島利幸;八幡和宏;卯野高史
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H05B6/68
• 分類號: H05B6/68
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種高頻加熱裝置，其中，具有：

變頻振蕩器；

半導體功率放大器，放大所述變頻振蕩器的輸出功率；

輻射器，基于所述半導體功率放大器的輸出功率而輻射加熱用電磁波；

反射波監控電路，檢測所述加熱用電磁波的反射波；

控制電路，控制所述變頻振蕩器的振蕩頻率，

并且，通過所述控制電路將所述變頻振蕩器的振蕩頻率不連續地切換，由所述輻射器進行跳頻式擴頻型的輻射。

2.根據權利要求1所述的高頻加熱裝置，其中，所述控制電路基于由所述反射波監控電路所檢測的反射波的強度與所述振蕩頻率的關系，設定所述振蕩頻率的發生概率。

3.根據權利要求2所述的高頻加熱裝置，其中，所述控制電路使在所述反射波監控電路所檢測的反射波的強度相對低的頻率范圍內的所述振蕩頻率的發生概率，比在所述反射波的強度相對高的頻率范圍內的所述振蕩頻率的發生概率高。

4.根據權利要求3所述的高頻加熱裝置，其中，在由所述加熱用電磁波加熱被加熱物的過程的初期，將所述半導體功率放大器的輸出功率調整到相對低的值而輻射所述加熱用電磁波，求得由所述反射波監控電路所檢測的反射波的強度與所述振蕩頻率的關系。

5.根據權利要求3或4所述的高頻加熱裝置，其中，在由所述加熱用電磁波加熱被加熱物的過程中，所述控制電路使由所述反射波監控電路所檢測的反射波的強度與所述振蕩頻率的關系更新，而使所述振蕩頻率的發生概率動態地變化。

6.根據權利要求1所述的高頻加熱裝置，其中，在由所述加熱用電磁波加熱被加熱物的過程中，所述控制電路在包含所述反射波的強度達到極小的頻率和所述反射波的強度未達到極小的頻率的多個頻率之間，將所述變頻振蕩器的振蕩頻率不連續地切換。

7.根據權利要求1所述的高頻加熱裝置，其中，

具有容納被加熱物的加熱室，

所述控制電路在2.40GHz至2.50GHz的范圍中所包含的多個頻率之間，將所述變頻振蕩器的振蕩頻率不連續地切換。

8.根據權利要求1所述的高頻加熱裝置，其中，

具有容納被加熱物的加熱室，

所述控制電路以1.0毫秒以下將所述變頻振蕩器的振蕩頻率不連續地切換。

9.根據權利要求8所述的高頻加熱裝置，其中，所述控制電路以0.01毫秒以上將所述變頻振蕩器的振蕩頻率不連續地切換。

10.根據權利要求1所述的高頻加熱裝置，其中，所述半導體功率放大器為GaN?HFET。

11.根據權利要求1所述的高頻加熱裝置，其中，所述振蕩頻率之不連續的切換，按照所述控制電路決定的頻率序列進行，

所述頻率序列其決定方式為，對于白色的隨機頻率序列，以基于所述反射波的強度和所述振蕩頻率的關系的逆特性所代表的正規化吸收量的發生概率，進行時間序列濾波。

12.一種高頻加熱裝置，是具有分別可變頻地輻射加熱用電磁波的多個輻射單元的高頻加熱裝置，其中，各輻射單元具有：

變頻振蕩器；

半導體功率放大器，放大所述變頻振蕩器的輸出功率；

輻射器，基于所述半導體功率放大器的輸出功率而輻射加熱用電磁波；

反射波監控電路，檢測所述加熱用電磁波的反射波；

并且，所述高頻加熱裝置還具有控制電路，其對所述多個輻射單元中所包含的變頻振蕩器的振蕩頻率進行控制，

所述控制電路以在所述多個輻射單元之間不相關聯的方式將各變頻振蕩器的振蕩頻率不連續地切換，從而由所述多個輻射單元包含的各自的輻射器獨立地進行跳頻式擴頻型的輻射。

13.根據權利要求12所述的高頻加熱裝置，其中，所述控制電路基于由所述多個輻射單元包含的各自的反射波監控電路獨立檢測的反射波的強度與所述振蕩頻率的關系，設定所對應的輻射單元包含的所述變頻振蕩器的振蕩頻率的發生概率。