[發明專利]氮化物類半導體發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 200980100931.6
• 申請日: 2009-09-07
• 公開（公告）號: CN102084504A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 橫川俊哉;加藤亮
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/205
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種氮化物類半導體發光元件，具有氮化物類半導體疊層結構，其特征在于，

所述氮化物類半導體疊層結構包括：

活性層，其包括Al_aIn_bGa_cN結晶層，其中：a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0；

Al_dGa_eN溢出抑制層，其中：d+e＝1，d＞0，e≥0；以及

Al_fGa_gN層，其中：f+g＝1，f≥0，g≥0，f＜d，

所述Al_dGa_eN溢出抑制層設置在所述活性層與所述Al_fGa_gN層之間，

所述Al_dGa_eN溢出抑制層包括含有濃度為1×10¹⁶atms/cm³以上且1×10¹⁹atms/cm³以下的In的層。

2.根據權利要求1所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

含有所述In的層的In濃度為8×10¹⁸/cm³以下。

3.根據權利要求1所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

含有所述In的層配置在所述Al_dGa_eN溢出抑制層之中最靠近于所述活性層的位置。

4.根據權利要求1所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

含有所述In的層的厚度是Al_dGa_eN溢出抑制層的厚度的一半以下。

5.根據權利要求1所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

還具有選擇生長層，

所述氮化物類半導體疊層結構形成于所述選擇生長層上，

所述Al_dGa_eN溢出抑制層相對于所述活性層位于與所述選擇生長層所在一側相反的一側。

6.根據權利要求1所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

所述氮化物類半導體疊層結構在表面具有m面。

7.根據權利要求5所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

所述選擇生長層是在Al_uGa_vIn_wN層的表面從未被掩膜層覆蓋的區域生長出的Al_xGa_yIn_zN結晶層，其中：u+v+w＝1，u≥0，v≥0，w≥0，x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。

8.根據權利要求7所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

具有：基板；以及

所述Al_uGa_vIn_wN層，其形成于所述基板上，且一部分由掩膜層覆蓋，

所述選擇生長層在所述Al_uGa_vIn_wN層的表面與未被所述掩膜層覆蓋的區域接觸。

9.根據權利要求8所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

在所述Al_uGa_vIn_wN層的表面被所述掩膜層覆蓋的部分形成有凹槽，

所述選擇生長層不與所述掩膜層接觸。

10.根據權利要求5所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

所述選擇生長層是GaN基板的至少一部分。

11.根據權利要求1至10中任意一項所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

含有所述In的層中的In濃度越是遠離所述活性層越減少。

12.根據權利要求1至11中任意一項所述的氮化物類半導體發光元件，其特征在于，

在所述活性層與所述Al_dGa_eN溢出抑制層之間形成有未摻雜的GaN層。