[發明專利]平板天線部件以及具備其的等離子體處理裝置

無效

• 申請號: 200980100907.2
• 申請日: 2009-03-13
• 公開（公告）號: CN101849444A
• 公開（公告）日: 2010-09-29
• 發明（設計）人: 植田篤;足立光;田才忠;福田良則;本鄉俊明;吉岡正雄
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H05H1/46
• 分類號: H05H1/46;H01L21/31
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;舒艷君

1.一種平板天線部件，向等離子體處理裝置的處理容器內導入由電磁波發生源發生的電磁波，其特征在于，

具有由導電材料構成的平板狀基材、和形成在上述平板狀基材上的放射電磁波的多個貫通口，

上述貫通口包含：沿中心與上述平板天線部件的中心重疊的圓的圓周排列的多個第一貫通口；在上述第一貫通口的外側與上述圓呈同心圓狀排列的多個第二貫通口，

從上述平板天線部件的中心到上述第一貫通口的中心的距離L1與上述平板天線部件的半徑r之比L1/r在0.35～0.5的范圍內，

從上述平板天線部件的中心到上述第二貫通口的中心的距離L2與上述平板天線部件的半徑r之比L2/r在0.7～0.85的范圍內。

2.根據權利要求1所述的平板天線部件，其特征在于，第三圓的半徑L3與上述半徑r之比L3/r在0.5～0.7的范圍內，其中，該第三圓相對于以上述距離L1為半徑且通過上述第一貫通口的中心的第一圓和以上述距離L2為半徑且通過上述第二貫通口的中心的第二圓呈同心圓狀，并且通過該第一圓的圓周與該第二圓的圓周之間的徑向上的中間點。

3.根據權利要求1或2所述的平板天線部件，其特征在于，上述距離L2以及上述距離L1之差(L2-L1)與上述平板天線部件的半徑r之比(L2-L1)/r在0.2～0.5的范圍內。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的平板天線部件，其特征在于，上述第一貫通口和上述第二貫通口都是細長形狀，上述第二貫通口的長度方向相對于上述第一貫通口的長度方向所成的角度在85°～95°的范圍內。

5.根據權利要求4所述的平板天線部件，其特征在于，上述第一貫通口的長度方向相對于連接上述平板天線部件的中心與該第一貫通口的中心的直線所成的角度在30°～50°的范圍內。

6.根據權利要求4或5所述的平板天線部件，其特征在于，上述第二貫通口的長度方向相對于連接上述平板天線部件的中心與該第二貫通口的中心的直線所成的角度在130°～150°的范圍內。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的平板天線部件，其特征在于，連接從上述平板天線部件的中心到上述第一貫通口的中心的直線與連接從上述平板天線部件的中心到上述第二貫通口的中心的直線所成的角度在8°～15°的范圍內。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的平板天線部件，其特征在于，由上述電磁波發生源發生的電磁波的頻率在800～1000MHz的范圍內。

9.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具備：

處理容器，其收容被處理體且可抽真空；

氣體導入部，其向上述處理容器內供給氣體；

排氣裝置，其對上述處理容器內減壓排氣；

透射板，其氣密地安裝在上述處理容器的上部的開口部，使在上述處理容器內生成等離子體用的電磁波透射；

平板天線部件，其配置在上述透射板之上，將上述電磁波向上述處理容器內導入；

罩部件，其從上方覆蓋上述平板天線部件；

波導管，其貫通上述罩部件地設置，將由電磁波發生源發生的800～1000MHz范圍內的電磁波向上述平板天線部件供給，

上述平板天線部件具有由導電材料構成的平板狀基材、和形成在上述平板狀基材上的放射電磁波的多個貫通口，

上述貫通口包含：呈圓形排列的多個第一貫通口；在上述第一貫通口的外側呈同心圓狀排列的多個第二貫通口，

從上述平板天線部件的中心到上述第一貫通口的中心的距離L1與上述平板天線部件的半徑r之比L1/r在0.35～0.5的范圍內，

從上述平板天線部件的中心到上述第二貫通口的中心的距離L2與上述平板天線部件的半徑r之比L2/r在0.7～0.85的范圍內。

10.根據權利要求9所述的等離子體處理裝置，其特征在于，第三圓的半徑L3與上述半徑r之比L3/r在0.5～0.7的范圍內，其中，該第三圓相對于以上述距離L1為半徑且通過上述第一貫通口的中心的第一圓和以上述距離L2為半徑且通過上述第二貫通口的中心的第二圓呈同心圓狀，并且通過該第一圓的圓周與該第二圓的圓周之間的徑向上的中間點。