[發明專利]半導體裝置及其制造方法無效
| 申請號： | 200980100856.3 | 申請日： | 2009-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN101842903A | 公開（公告）日： | 2010-09-22 |
| 發明（設計）人： | 鳥居克行;杉山欣二 | 申請（專利權）人： | 三墾電氣株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：
第一導電型或與此相反的第二導電型的第一半導體層、
在所述第一半導體層上形成的所述第一導電型的第二半導體層、
在所述第二半導體層上以島狀形成的所述第二導電型的第三半導體層、
在所述第二半導體層及所述第三半導體層上形成的絕緣膜、
在所述絕緣膜上形成的控制電極、
與所述第二半導體層及所述第三半導體層電連接的第一主電極、以及
與所述第一半導體層電連接且具有Pd的第二主電極。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第二主電極，在所述第一半導體層的與形成有所述第二半導體層的表面相對的背面的全域形成。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第二主電極具有Pd硅化物層。
4.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
所述第二主電極具有：在所述第一半導體層上形成的Pd層或Pd硅化物層、在所述Pd層或Pd硅化物層上形成的Ti層、在所述Ti層上形成的Ni層。
5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于，
在所述第二主電極的所述Ni層上進一步具有Au層。
6.根據權利要求1～5中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
具有絕緣柵型雙極晶體管IGBT，所述絕緣柵型雙極晶體管IGBT具有：通過所述第一半導體層所形成的集電極層、通過所述第二半導體層所形成的基層、通過所述第三半導體層所形成的發射極層。
7.根據權利要求1～5中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，
具有金屬氧化物半導體場效應管MOSFET，所述金屬氧化物半導體場效應管MOSFET具有：通過所述第一半導體裝置所形成的漏極層、通過所述第二半導體層所形成的體層、通過所述第三半導體層所形成的源極層。
8.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
形成第一導電型或與此相反的第二導電型的第一半導體層的工序；
在所述第一半導體層上形成所述第一導電型的第二半導體層的工序；
在所述第二半導體層上以島狀形成所述第二導電型的第三半導體層的工序；
在所述第二半導體層及所述第三半導體層上形成絕緣膜的工序；
在所述絕緣膜上形成控制電極的工序；
在所述第二半導體層及所述第三半導體層上形成第一主電極的工序；
在所述第一半導體層上形成具有Pd的第二主電極的工序。
9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，
形成所述第二主電極的工序，是指在所述第一半導體層上依次層疊Pd層或Pd硅化物層、Ti層、Ni層的工序。
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