[發明專利]氣體供給裝置、處理裝置、處理方法及存儲介質無效
| 申請號: | 200980100838.5 | 申請日: | 2009-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN101842880A | 公開(公告)日: | 2010-09-22 |
| 發明(設計)人: | 津田榮之輔 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/31 | 分類號: | H01L21/31;C23C16/455;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;舒艷君 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 供給 裝置 處理 方法 存儲 介質 | ||
1.一種氣體供給裝置,與處理容器內的基板對置地配置,用于向所述基板供給氣體來進行氣體處理,其特征在于,
具備:
主體部,其具有氣體流通空間,所述氣體流通空間具有縮徑端和擴徑端,并且以近似圓錐形構成,使所述氣體從所述縮徑端側向所述擴徑端側流通;
氣體導入口,其設于所述主體部中的所述氣體流通空間的所述縮徑端側,用于將所述氣體導入到所述氣體流通空間;
多個劃分構件,其設于所述主體部的所述氣體流通空間內,將所述氣體流通空間以同心圓狀劃分,
一個劃分構件的逐漸擴展程度大于在徑向內側相鄰的劃分構件的逐漸擴展程度。
2.根據權利要求1所述的氣體供給裝置,其特征在于,在所述主體部中的所述氣體流通空間的上游側,形成沿所述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路,
所述氣體導入口設置于所述氣體導入路的上游側。
3.根據權利要求1所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述劃分構件由從所述主體部的內周面向徑向內方延伸的支承構件支承。
4.根據權利要求1所述的氣體供給裝置,其特征在于,利用所述劃分構件將所述氣體流通空間劃分為多個流路,各所述流路被設定為,徑向內側的流路的流導小于徑向外側的流路的流導。
5.根據權利要求4所述的氣體供給裝置,其特征在于,在所述氣體流通空間的徑向的中心區域,設有用于使氣體不流向所述中心區域的氣流控制構件。
6.根據權利要求2所述的氣體供給裝置,其特征在于,在所述氣體導入路內設有分隔構件,該分隔構件將所述氣體導入路沿徑向分隔為內側區域和外側區域,并且還形成有用于使向所述內側區域供給的氣體向所述外側區域擴散的多個開口部,
來自所述氣體導入口的氣體向所述內側區域供給。
7.根據權利要求6所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述分隔構件與所述劃分構件的上游端連接。
8.一種氣體供給裝置,與處理容器內的基板對置地配置,用于向所述基板供給氣體來進行氣體處理,其特征在于,
具備:
主體部,其具有氣體流通空間,所述氣體流通空間具有縮徑端和擴徑端,并且以近似圓錐形構成,使所述氣體從所述縮徑端側向所述擴徑端側流通;
氣體導入口,其設于所述主體部中的所述氣體流通空間的所述縮徑端側,用于將所述氣體導入到所述氣體流通空間;
多個劃分構件,其設于所述主體部的所述氣體流通空間內,用于將所述氣體流通空間沿圓周方向劃分。
9.根據權利要求8所述的氣體供給裝置,其特征在于,在所述主體部中的所述氣體流通空間的上游側,形成沿所述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路,
所述氣體導入口設于所述氣體導入路的上游側。
10.根據權利要求8所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述多個劃分構件如下構成,即,邊使來自所述氣體流通空間的所述擴徑端的所述氣體形成沿所述主體部的圓周方向旋轉的渦流邊噴出。
11.根據權利要求8所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述劃分構件從所述氣體流通空間的中心沿徑向延伸。
12.根據權利要求8所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述劃分構件在所述氣體流通空間中從所述縮徑端延至所述擴徑端而設置。
13.一種氣體供給裝置,與處理容器內的基板對置地配置,用于向所述基板供給氣體來進行氣體處理,其特征在于,
具備:
主體部,其具有用于使所述氣體流通的氣體流通空間;
氣體導入口,其設于所述主體部中的所述氣體流通空間的上游端側,用于將所述氣體導入到所述氣體流通空間;
板狀構件,其設于所述主體部的所述氣體流通空間的下游端側,具有用于將向所述氣體流通空間供給的所述氣體向所述基板供給的以同心圓狀開口的多個狹縫。
14.根據權利要求13所述的氣體供給裝置,其特征在于,在所述主體部中的所述氣體流通空間的上游側,形成沿所述氣體流通空間的軸向延伸的氣體導入路,
所述氣體導入口設于所述氣體導入路的上游側。
15.根據權利要求13所述的氣體供給裝置,其特征在于,所述狹縫按照隨著從所述板狀構件的中心部接近周緣部,其開口寬度變大的方式形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





