[發明專利]光電裝置和光電裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200980100577.7
• 申請日: 2009-09-02
• 公開（公告）號: CN101809760A
• 公開（公告）日: 2010-08-18
• 發明（設計）人: 柳浦聰生
• 申請（專利權）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及光電裝置和光電裝置的制造方法。?

背景技術

已知有使用多晶、微晶或非結晶的太陽能電池。在一般的太陽能電池的制作工藝中，在玻璃基板上形成氧化錫(SnO₂)等的透明導電膜后，通過化學氣相沉積法(CVD法)等形成作為光電層的多晶、微晶或非結晶。然后，形成作為背面電極的電極。在電極形成中，使用通過真空蒸鍍法、濺射法將鋁(Al)、銀(Ag)、鈦(Ti)等導電性物質進行制膜的方法等。?

然而，在形成這樣的電極層時，會將金屬供給到作為形成面的光電層的與形成面相反的一側的玻璃基板的背側，從而導致產生以下等問題，即，太陽能電池的背面電極與玻璃基板表面之間的絕緣電阻降低。?

因此，可考慮以下的方法(日本特開2007-197745號公報等)：縮小載置基板的基板支架(托盤)與基板的間隙，使得膜不會繞到基板的成膜面的背側形成。?

然而，存在這樣的問題，即，在反復進行電極層的形成處理期間，附著于基板支架的附著物在電極層的形成處理中剝落，進入電極層中。因此，為了不使附著物剝落，不得不采取總是將基板支架保持在高溫等對策，而且為了在形成電極層時減少來自基板支架等的雜質的帶入，傾向于采用無支架方式(無托盤方式)。?

發明內容

然而，當采用無支架方式時，會產生本來被基板支架防止的金屬層的向玻璃基板側的繞入，以致在光電層的制膜面的背側會形成電極層。例如，如圖9所示，在利用輥(roller)10、12將形成有光電層的?基板14在與輥10、12的延伸方向正交的方向上進行搬送、并通過濺射等形成電極層的情況下，電極層可能會以在沿著基板14的搬送方向的邊14a、14b繞到玻璃基板側的方式形成。?

當電極層像這樣繞到玻璃基板側形成時，可能會導致電極層與玻璃基板之間的絕緣耐壓特性降低。?

此外，即使是在光電層側形成的電極層，在模塊化的情況下，形成于基板的端部附近的電極部會位于作為模塊的結構體的金屬制的框架附近，可能會導致模塊的絕緣耐壓降低。?

本發明的一個方面是光電裝置的制造方法，該光電裝置由在基板上形成有第一電極層、半導體層和第二電極層的一個或多個光電池構成，該光電裝置的制造方法的特征在于，在上述第二電極層的不能獲得光電動勢的第一部位與上述第二電極層的遠離上述第一部位的不能獲得光電動勢的第二部位之間施加電壓，除去上述第二電極層的至少一部分。?

附圖說明

圖1是表示本發明的實施方式的光電裝置的制造工序的截面圖。?

圖2是說明本發明的實施方式的光電裝置的制造方法的圖。?

圖3是說明本發明的實施方式的光電裝置的制造方法的圖。?

圖4是說明本發明的實施方式的光電裝置的制造方法的圖。?

圖5是說明本發明的實施方式的光電裝置的制造方法的圖。?

圖6是表示本發明的實施方式的光電裝置的結構的放大立體圖。?

圖7是表示本發明的實施方式的光電裝置的整體結構的截面圖。?

圖8是說明本發明的實施方式的光電裝置的制造方法的其他例子的圖。?

圖9是說明背景技術中的光電裝置的制造方法的圖。?

具體實施方式

以下對本發明的實施方式的光電裝置的制造方法進行說明。在本實施方式中，以使用非晶硅膜(a-Si膜)和微晶硅膜(μc-Si膜)的疊層(tandem)型薄膜光電裝置為例進行說明。但是，本發明的適用范圍不限定于此，能夠應用于單層、多層、或薄膜型、堆積型(bulk?type)等各種光電裝置。?

首先，在基板20形成透明導電膜22作為第一電極(圖1(a))。作為基板20，能夠使用玻璃、塑料等透明絕緣材料。透明導電膜22通過熱化學氣相沉積法(熱CVD法)等使用氧化錫(SnO₂)、氧化鋅(ZnO)等形成。?

接著，通過激光分離加工在透明導電膜22形成隙縫(slit)22a，將透明導電膜22分離加工為長方形狀(圖1(b)：隙縫22a形成在垂直于紙面的方向上)。在該激光分離加工中，例如優選使用波長約1.06μm、能量密度13J/cm³、脈沖頻率3kHz的Nd:YAG激光。?