[發明專利]柔性半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 200980100562.0
• 申請日: 2009-07-30
• 公開（公告）號: CN102742013A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 平野浩一;中谷誠一;小川立夫
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L51/05
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李貴亮

1.一種柔性半導體裝置的制造方法，其是用于制造柔性半導體裝置的方法，其特征在于，包括：

(i)在樹脂薄膜的上面形成絕緣膜的工序、

(ii)在所述樹脂薄膜的上面形成取出電極圖形的工序、

(iii)按照與所述取出電極圖形接觸的方式在所述絕緣膜上形成半導體層的工序、和

(iv)按照覆蓋所述半導體層及所述取出電極圖形的方式在所述樹脂薄膜的上面形成密封樹脂層的工序；

利用印刷法，進行所述(i)～(iv)的至少一個形成工序。

2.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

利用印刷法，進行所述(i)～(iv)的所有形成工序。

3.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(iv)后，通過剝離所述樹脂薄膜，使所述取出電極圖形的下面從所述密封樹脂層露出。

4.根據權利要求3所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在制造多個柔性半導體裝置時，將在某個柔性半導體裝置的制造中所述已剝離的樹脂薄膜再利用于其他柔性半導體裝置的制造。

5.根據權利要求4所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

利用卷筒對卷筒方式，進行所述樹脂薄膜的再利用。

6.根據權利要求3所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在從所述密封樹脂層露出的所述取出電極圖形的下面，形成源電極及漏電極。

7.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述密封樹脂層的上面形成柵電極。

8.根據權利要求7所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述柵電極的形成包括：

通過在所述密封樹脂層的上面貼合金屬箔的下面而在所述密封樹脂層上設置所述金屬箔的工序、和

通過蝕刻所述金屬箔以由所述金屬箔形成所述柵電極的工序。

9.根據權利要求8所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

作為與所述密封樹脂層貼合的所述金屬箔，使用下面的表面粗糙度即Ra為300nm以下的金屬箔。

10.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

代替所述工序(ii)及所述工序(iii)，實施：

(ii)’在所述絕緣膜上形成半導體層的工序、和

(iii)’按照與所述半導體層接觸的方式在所述樹脂薄膜的上面形成取出電極圖形的工序。

11.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述絕緣膜的下面形成柵電極。