[發明專利]柔性半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200980100551.2
• 申請日: 2009-07-30
• 公開（公告）號: CN102047396A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發明（設計）人: 平野浩一;中谷誠一;小川立夫;一柳貴志;鈴木武
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/20;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種用于制造柔性半導體裝置的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

(i)在金屬箔的上面形成絕緣膜的工序、

(ii)在所述金屬箔的上面形成取出電極圖形的工序、

(iii)按照與所述取出電極圖形接觸的方式在所述絕緣膜上形成半導體層的工序、

(iv)按照覆蓋所述半導體層及所述取出電極圖形的方式在所述金屬箔的上面形成密封樹脂層的工序、和

(v)通過蝕刻所述金屬箔形成電極的工序；

將所述金屬箔用作用于在所述工序(i)～(iv)中形成的所述絕緣膜、所述取出電極圖形、所述半導體層及所述密封樹脂層的支撐體，并且，在所述工序(v)中用作所述電極的構成材料。

2.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

對在所述工序(iii)中形成的所述半導體層實施加熱處理。

3.根據權利要求2所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

作為所述加熱處理，進行熱退火處理及/或激光退火處理。

4.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

通過400℃～1000℃的高溫工藝，實施所述工序(iii)的半導體層的形成工序。

5.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(v)中，通過所述金屬箔的蝕刻形成源電極及漏電極。

6.根據權利要求5所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(v)中，通過所述金屬箔的蝕刻還形成柵電極，由此將所述源電極、所述漏電極和所述柵電極形成于同一平面上。

7.根據權利要求5所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

還包括：(vi)按照使其未與所述源電極及所述漏電極位于同一平面的方式形成柵電極的工序，

在所述工序(vi)中，通過向所述密封樹脂層的上面供給另一個金屬箔并將該另一個金屬箔蝕刻，形成所述柵電極。

8.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

通過蝕刻所述金屬箔，還進而形成電容器的電極層。

9.根據權利要求1所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

代替所述工序(ii)及所述工序(iii)，實施(ii)’在所述絕緣膜上形成半導體層的工序、和(iii)’按照與所述半導體層接觸的方式在所述金屬箔的上面形成取出電極圖形的工序。

10.一種柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，其是具有至少兩個具有絕緣膜、半導體層、柵電極、源電極和漏電極而成的TFT元件而成的柔性半導體裝置的制造方法，包括：

(a)準備具備設置有構成第一TFT元件的絕緣膜及半導體層的TFT元件形成面的第一金屬箔、具備設置有構成第二TFT元件的絕緣膜及半導體層的TFT元件形成面的第二金屬箔、和一個密封樹脂薄膜的工序；

(b)通過使所述第一金屬箔的TFT元件形成面與所述密封樹脂薄膜的一個面重合，將構成所述第一TFT元件的所述絕緣膜及所述半導體層從所述一個面埋入所述密封樹脂薄膜的工序；

(c)通過使所述第二金屬箔的TFT元件形成面與所述密封樹脂薄膜的另一面重合，將構成所述第二TFT元件的所述絕緣膜及所述半導體層從所述另一面埋入所述密封樹脂薄膜的工序；和

(d)通過蝕刻所述第一金屬箔及所述第二金屬箔形成所述第一TFT元件的電極及所述第二TFT元件的電極的工序；

將所述第一金屬箔在所述工序(a)～(c)中用作構成所述第一TFT元件的所述絕緣膜及所述半導體層的支撐體，并且在所述工序(d)中用作所述第一TFT元件的所述電極的構成材料，

將所述第二金屬箔在所述工序(a)～(c)中用作構成所述第二TFT元件的所述絕緣膜及所述半導體層的支撐體，并且在所述工序(d)中用作所述第二TFT元件的所述電極的構成材料。

11.根據權利要求10所述的柔性半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(d)中，通過蝕刻所述第一金屬箔，形成構成所述第一TFT元件的源電極及漏電極、和構成所述第二TFT元件的柵電極，并且通過蝕刻所述第二金屬箔，形成構成所述第一TFT元件的柵電極、和構成所述第二TFT元件的源電極及漏電極。