[發(fā)明專利]等離子體處理裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980000455.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-02-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101720503A | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-06-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 伊藤融;永關(guān)澄江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/3065 | 分類號(hào): | H01L21/3065;H05H1/46;H05H1/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉;舒艷君 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 處理 裝置 | ||
1.一種等離子體處理裝置,其特征在于,具備:
處理室,其在內(nèi)部配置被處理基板;
氣體供給機(jī)構(gòu),其向所述處理室內(nèi)供給規(guī)定的處理氣體;
排氣機(jī)構(gòu),其從所述處理室內(nèi)排氣;
等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu),其在所述處理室內(nèi)產(chǎn)生所述處理氣體的等離子 體;
等離子體監(jiān)測(cè)裝置,其具備:將探針配置于所述處理室內(nèi)的同軸電 纜;與所述同軸電纜連接、并檢測(cè)被所述探針檢測(cè)出的等離子體中存在 的電磁波的頻率分布的測(cè)定部,
所述測(cè)定部檢測(cè)等離子體中存在的不同頻率成分以及邊帶成分中 的至少一方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
具備多個(gè)所述處理室,并具有控制部,該控制部基于所述等離子體 監(jiān)測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果,控制等離子體以便使多個(gè)所述處理室內(nèi)的等離子 體的狀態(tài)一致。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置,其特征在于,
所述控制部控制所述氣體供給機(jī)構(gòu)、所述排氣機(jī)構(gòu)以及所述等離子 體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)中的至少一個(gè)。
4.一種等離子體處理裝置,其特征在于,具備:
處理室,其在內(nèi)部配置被處理基板;
氣體供給機(jī)構(gòu),其向所述處理室內(nèi)供給規(guī)定流量的處理氣體;
排氣機(jī)構(gòu),其將所述處理室設(shè)定為規(guī)定的真空度;
等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu),其具有高頻電源,在所述處理室內(nèi)產(chǎn)生所述處 理氣體的等離子體;
測(cè)定部,將探針插入到所述等離子體中來(lái)檢測(cè)等離子體中存在的不 同頻率成分以及邊帶成分中的至少一方;
控制單元,其基于所述檢測(cè)結(jié)果,控制所述氣體供給機(jī)構(gòu)、所述排 氣機(jī)構(gòu)以及所述等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)中的至少一個(gè)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





