[實用新型]低溫無損傷深斜硅刻蝕系統

有效

• 申請號: 200920313340.4
• 申請日: 2009-10-27
• 公開（公告）號: CN201581133U
• 公開（公告）日: 2010-09-15
• 發明（設計）人: 王磊;景玉鵬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: C23F1/08
• 分類號: C23F1/08;C23F1/12;C23F1/02;H01L21/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 王建國

1.一種低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述系統包括：

容納刻蝕材料的供料裝置；

連接到所述供料裝置的刻蝕腔；所述刻蝕腔包括：腔體；噴嘴，所述噴嘴固定于所述腔體內的一側；支承待刻蝕硅片的支架，所述支架以角度可調整的方式固定于所述腔體內，并且位于所述噴嘴相對的另一側；掩蔽板，所述掩蔽板位于所述噴嘴與所述支架之間，固定于所述腔體內壁，在所述掩蔽板上與所述噴嘴對應的位置形成有供刻蝕材料穿過的孔或縫。

2.根據權利要求1所述的低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述待刻蝕硅片的表面與所述掩蔽板相對，并且涂覆有光刻膠。

3.根據權利要求2所述的低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述支架包括支撐架和托盤，所述支撐架固定于腔體內壁，所述托盤以角度可調整的方式連接所述支撐架，并且旋轉形成為與入射方向成0-90°中的一個角度。

4.根據權利要求3所述的低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述刻蝕腔連接有壓力檢測裝置和溫度控制裝置，所述壓力檢測裝置和溫度控制裝置連通所述腔體內部。

5.根據權利要求4所述的低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述刻蝕腔連接有排氣泵和尾氣處理裝置，所述尾氣處理裝置通過所述排氣泵連通所述腔體內部。

6.根據權利要求5所述的低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述刻蝕腔連接有抽真空泵，所述抽真空泵與所述腔體內部連通。

7.

根據權利要求6所述的低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述供料裝置和所述刻蝕腔之間連接有凈化裝置和混合刻蝕材料的混合裝置。

8.根據權利要求7所述的低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述供料裝置由容納氬氣的第一存儲罐和容納七氟化氯的第二存儲罐組成，所述第一存儲罐和所述第二存儲罐分別連接至所述凈化裝置。

9.根據權利要求8所述的低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述混合裝置和所述刻蝕腔之間連接有減壓閥。

10.根據權利要求8或9所述的低溫無損傷深斜硅刻蝕系統，其特征在于，所述第一存儲罐與所述凈化裝置之間通過第一質量流量控制器連接和/或所述第二存儲罐與所述凈化裝置之間通過第二質量流量控制器連接。