[實(shí)用新型]一種IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920273330.2
• 申請(qǐng)日: 2009-11-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201528324U
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張和君;劉遠(yuǎn)進(jìn);牛濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波德斯科電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/567
• 分類號(hào): H03K17/567;H03K17/08
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，包括共射放大電路、推挽驅(qū)動(dòng)電路與IGBT，所述共射放大電路設(shè)有PWM信號(hào)輸入端，用于將所述PWM信號(hào)放大；所述推挽驅(qū)動(dòng)電路設(shè)有VDD電源輸入端，用于接受VDD電源供電；其特征在于：在所述共射放大電路與PWM信號(hào)輸入端之間連接有一個(gè)NPN三極管(Q1)，所述PWM信號(hào)輸入端從其發(fā)射極引出，其基極經(jīng)過(guò)電阻(R1)后，設(shè)置有VCC電源輸入端，用于接受VCC電源供電；其集電極經(jīng)過(guò)電阻(R2)后，連接至所述VDD電源輸入端。

2.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，其特征在于：所述共射放大電路由一個(gè)NPN三極管(Q2)與電阻(R3)連接組成，所述NPN三極管(Q2)的基極連接至所述NPN三極管(Q1)的集電極。

3.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，其特征在于：所述推挽驅(qū)動(dòng)電路包括NPN三極管(Q3)、PNP三極管(Q4)，其基極各自連接有電阻(R4、R5)，其發(fā)射極各自連接有電阻(R6、R7)，電阻(R8)并聯(lián)在所述IGBT的柵極和發(fā)射極之間。

4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，其特征在于：在所述IGBT的柵極和發(fā)射極之間以并聯(lián)方式連接有電阻(R8)與穩(wěn)壓管(D1)。

5.如權(quán)利要求4所述的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，其特征在于：在所述IGBT的發(fā)射極和集電極之間以并聯(lián)方式連接有電容(C1)。

6.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路，其特征在于：在所述IGBT的發(fā)射極和集電極之間以并聯(lián)方式連接有電容(C1)。

7.一種芯片，用于IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)，其特征在于：其內(nèi)部包含如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路。

8.如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于：在所述IGBT的柵極和發(fā)射極之間以并聯(lián)方式連接有電阻(R8)與穩(wěn)壓管(D1)。

9.如權(quán)利要求8所述的芯片，其特征在于：在所述IGBT的發(fā)射極和集電極之間以并聯(lián)方式連接有電容(C1)。

10.如權(quán)利要求7所述的芯片，其特征在于：在所述IGBT的發(fā)射極和集電極之間以并聯(lián)方式連接有電容(C1)。