[實用新型]柔性碲化鎘薄膜太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920249686.2 | 申請日: | 2009-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN201584421U | 公開(公告)日: | 2010-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 司紅磊;林道勇;王文斌;劉月平;李青海;李林松 | 申請(專利權(quán))人: | 潤峰電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/052;H01L31/02 |
| 代理公司: | 濟南圣達專利商標事務(wù)所有限公司 37221 | 代理人: | 張勇 |
| 地址: | 277600 山東省濟*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性 碲化鎘 薄膜 太陽能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及到薄膜太陽能電池領(lǐng)域,尤其涉及一種柔性碲化鎘薄膜太陽能電池。
背景技術(shù)
對于在戶外使用手機、照相機、MP3等便攜式電子產(chǎn)品時,經(jīng)常會遇到電池沒電的問題。戶外活動時,太陽能是隨時隨地可為人所用的重要能源,然而傳統(tǒng)的太陽能電池普遍體積大、質(zhì)地硬、不可折疊等特點無法實現(xiàn)輕便、可攜帶。硬質(zhì)襯底和普通柔性襯底,光照射到襯底有反射,會造成大量光損失,具有微結(jié)構(gòu)溝槽的襯底可以減少光的損失,有增透膜的作用,可以提高10%光的利用率。在非晶硅、銅銦稼硒、碲化鎘等眾多薄膜太陽能電池中,非晶硅和銅銦稼硒要么光電轉(zhuǎn)效率低、要么造價高、不穩(wěn)定。化合物碲化鎘多晶薄膜,其特點為:吸收系數(shù)大,適合制造薄膜太陽能電池;薄膜帶隙為1.45eV,處于最佳能隙范圍;容易制造,多種工藝均制成電池效率10%以上。具有鋸齒結(jié)構(gòu)的柔性襯底和碲化鎘薄膜太陽能電池結(jié)合,實現(xiàn)了薄膜太陽能電池體積小、質(zhì)地軟、可折疊、高穩(wěn)定、壽命長、攜帶方便、光的高利用率等優(yōu)點。
實用新型內(nèi)容
本實用新型目的就是為了解決上述問題,提供一種輕便、低成本、結(jié)構(gòu)簡單、光的高利用率的柔性碲化鎘薄膜太陽能電池。
為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用如下技術(shù)方案:
一種柔性碲化鎘薄膜太陽能電池,它包括帶有導(dǎo)電層的柔性襯底,柔性襯底具有鋸齒形的微結(jié)構(gòu),在柔性襯底上沉積硫化鎘層、碲化鎘層、富碲層、背接觸層和背電極。
所述柔性襯底為聚酰亞胺柔性襯底,襯底具有鋸齒結(jié)構(gòu),鋸齒結(jié)構(gòu)襯底溝槽深度50到200微米,寬度70到280微米。
所述硫化鎘層的厚度在20到1500納米。
所述碲化鎘層的厚度在0.5到50微米。
所述富碲層的厚度在10到50納米。
所述背電極為鎳、鋁或鎳鋁合金。
所述背接觸層為碲化鋅或銅參雜的碲化鋅的背接觸層。
本實用新型的有益效果是:碲化鎘薄膜電池成本價格是其他薄膜太陽能電池的三分之一,是現(xiàn)在應(yīng)用在太陽能電池性價比較高的太陽能電池。聚酰亞胺具有化學(xué)穩(wěn)定好、耐高溫,耐腐蝕,質(zhì)地柔軟,F(xiàn)TO、ITO等多種透明導(dǎo)電層都能很好的沉積在上面,對柔性襯底處理得到具有微結(jié)構(gòu)溝槽,這種具有微結(jié)構(gòu)溝槽的襯底可以減少光的損失,提高10%光的利用率,二者的結(jié)合為柔性碲化鎘薄膜電池發(fā)展開辟新道路。
附圖說明
圖1柔性碲化鎘薄膜電池結(jié)構(gòu)圖。
圖中,1柔性襯底,2透明導(dǎo)電層,3硫化鎘層,4碲化鎘層,5富碲層,6接觸層,7背電極。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖與實施例對本實用新型作進一步說明。
圖1中,它包括帶有透明導(dǎo)電層2的聚酰亞胺柔性襯底1,在柔性襯底1上沉積硫化鎘層3、碲化鎘層4、富碲層5、背接觸層6和背電極7。
其中,柔性襯底為聚酰亞胺柔性襯底,襯底具有鋸齒結(jié)構(gòu),襯底溝槽深度50到200微米,寬度70到280微米。
硫化鎘層3的厚度在20到1500納米,優(yōu)選厚度為50到1000納米。
碲化鎘層4的厚度在0.5到50微米,優(yōu)選厚度在2到15微米。
背電極7為鎳、鋁或鎳鋁合金。
背接觸層6為碲化鋅或銅參雜的碲化鋅的背接觸層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





