[實用新型]Ka波段多路波導空間功率合成放大器

無效

• 申請號: 200920236747.1
• 申請日: 2009-09-30
• 公開（公告）號: CN201638920U
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 褚慶昕;呂盛奇
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01P5/00
• 分類號: H01P5/00;H01P5/12
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 李衛東;梁瑩

1.一種Ka波段多路波導空間功率合成放大器，其特征是，由均采用金屬制成的頂蓋(1)、一片第一兩邊托盤(2)、一片第一中心托盤(3)、一片第二中心托盤(4)、一片第二兩邊托盤(5)、底座(6)從上到下組合而成，組合后的相關面形成Ka波段的矩形波導口(18)；四片漸變鰭線卡(10)分別放置在第一中心托盤(3)、第二中心托盤(4)和第一兩邊托盤(2)、第二兩邊托盤(5)上；組合時，第二中心托盤(4)朝上的一面為平面，朝下的一面設有方向與矩形波導口(18)開設方向一致的第一凹槽(21)，及與第一凹槽(21)垂直相交的第二凹槽(22)，漸變鰭線卡(10)放置在第一凹槽(21)和第二凹槽(22)內，漸變鰭線卡(10)接觸第二兩邊托盤(5)的一面中，放置在第一凹槽(21)的部分延伸出兩條50歐姆微帶線(16)，兩條微帶線(16)在第一凹槽(21)和第二凹槽(22)的相交處采用微帶拐角結構(17)使兩條微帶線(16)之間的垂直距離擴大，擴大后的兩條微帶線(16)相互平行且方向平行于矩形波導口(18)開設的方向，兩路放大器芯片(13)安裝位置在第一凹槽(21)和第二凹槽(22)相交處，分別連接在兩條所述微帶線(16)上且位置左右交錯，放大器芯片(13)的第一旁路電容(14)、第二旁路電容(15)與放大器芯片(13)相連接并連接到設置位置在第二凹槽(22)中的直流偏置饋線(12)上；所述漸變鰭線卡(10)靠近第一中心托盤(3)的一面中，對應于漸變鰭線卡(10)另一面有微帶線(16)的地方均設有作為微帶線地板的金屬層；所述第二兩邊托盤(5)與放置在第二中心托盤(4)中的漸變鰭線卡(10)接觸的一面在與第一凹槽(21)對應的位置上設有用于壓住漸變鰭線卡(10)的凸邊(23)，與底座(6)接觸的一面結構與第二中心托盤(4)朝下的一面相同，鰭線卡(10)放置的位置也相同；所述底座(6)朝上的一面開設有與第二凹槽(22)位置對應的第三凹槽(20)，在與第一凹槽(21)對應的位置上設有用于壓住鰭線卡的凸邊(19)；第一中心托盤(3)和第二中心托盤(4)結構相同，第一兩邊托盤(2)和第二兩邊托盤(5)結構相同，頂蓋(1)和底座(6)結構相同，組合時第一中心托盤(3)和第二中心托盤(4)、第一兩邊托盤(2)和第二兩邊托盤(5)、頂蓋(1)和底座(6)的安裝的方向相反。

2.根據權利要求1所述的Ka波段多路波導空間功率合成放大器，其特征是，所述頂蓋(1)、一片第一兩邊托盤(2)、一片第一中心托盤(3)、一片第二中心托盤(4)、一片第二兩邊托盤(5)、底座(6)均由銅制成且均設有相應的螺孔(7)和銷釘孔(8)，螺釘通過螺孔(7)和銷釘孔(8)將頂蓋(1)、一片第一兩邊托盤(2)、一片第一中心托盤(3)、一片第二中心托盤(4)、一片第二兩邊托盤(5)、底座(6)組合固定。

3.根據權利要求1所述的Ka波段多路波導空間功率合成放大器，其特征是，所述漸變鰭線卡(10)是指用印刷電路板的方法在雙面覆銅的羅杰斯5880基片上制作的漸變鰭線卡(10)。

4.根據權利要求1所述的Ka波段多路波導空間功率合成放大器，其特征是，所述漸變鰭線卡(10)設有用于安裝的邊框(18)，所述邊框(18)在靠近波導口(18)的兩端設有密集過孔陣列。

5.根據權利要求1所述的Ka波段多路波導空間功率合成放大器，其特征是，所述第一旁路電容(14)采用10000pF的電容，第二旁路電容(15)采用100pF的電容。

6.根據權利要求1所述的Ka波段多路波導空間功率合成放大器，其特征是，所述放大器芯片(13)采用Triquint公司的TGA4516的放大器芯片。

7.根據權利要求1所述的Ka波段多路波導空間功率合成放大器，其特征是，所述放大器中所有導體材料的表面均設有鍍銀層。