[實(shí)用新型]多晶硅還原爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920230836.5
• 申請(qǐng)日: 2009-09-08
• 公開（公告）號(hào): CN201473329U
• 公開（公告）日: 2010-05-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱青松;蔣文武;王存惠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/035
• 分類號(hào): C01B33/035
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 肖明芳

1.一種多晶硅還原爐，包括爐體(1)，設(shè)置在爐體(1)下方的底盤(3)，設(shè)置在底盤(3)上的電極(12)和與電極(12)對(duì)應(yīng)安裝的硅芯(13)，設(shè)置在底盤(3)下方的進(jìn)氣管(6)和出氣管(8)，進(jìn)氣管(6)與安裝在底盤(3)上的噴口(7)連通，出氣管(8)與安裝在底盤(3)上的尾氣出口(15)連通，爐體(1)內(nèi)設(shè)有夾套，夾套分別與爐體冷卻水進(jìn)水管(9)和爐體冷卻水出水管(10)相連通，底盤(3)上設(shè)有底盤冷卻水進(jìn)水管(4)和底盤冷卻水出水管(5)，其特征在于所述電極(12)為48對(duì)，即96個(gè)，均勻分布在底盤(3)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于所述電極(12)在底盤(3)上沿5個(gè)圓周均勻分布，由內(nèi)圓周向外圓周，電極的數(shù)量分別為第一圈6個(gè)、第二圈12個(gè)、第三圈18個(gè)、第四圈24個(gè)、第五圈36個(gè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅還原爐，其特征在于所述的噴口(7)為66個(gè)，均勻分布在底盤(3)上；所述的尾氣出口(15)為1個(gè)，設(shè)置在底盤(3)中心。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅還原爐，其特征在于所述的噴口(7)在底盤上沿5個(gè)圓周均勻分布，最內(nèi)噴口圓周設(shè)置在尾氣出口(15)與最內(nèi)電極圓周之間，其它噴口圓周設(shè)置在相鄰兩個(gè)電極圓周之間，由內(nèi)圓周向外圓周，噴口的數(shù)量分別為第一圈3個(gè)、第二圈6個(gè)、第三圈12個(gè)、第四圈18個(gè)、第五圈27個(gè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任意一項(xiàng)所述的多晶硅還原爐，其特征在于每一圈電極，相鄰的兩個(gè)電極(12)通過(guò)電極板連接，并通過(guò)設(shè)置在電極(12)上的硅芯(13)分別串接組成電路回路。