[實用新型]一種用于碲鎘汞器件增透膜層生長的裝置

有效

• 申請號: 200920222432.1
• 申請日: 2009-09-08
• 公開（公告）號: CN201562674U
• 公開（公告）日: 2010-08-25
• 發明（設計）人: 孫浩;馬濤;王成剛;朱西安
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L31/18;C23C14/34
• 代理公司: 信息產業部電子專利中心 11010
• 代理人: 郭禾

1.一種用于碲鎘汞器件增透膜層生長的裝置，其特征在于，所述裝置包括：

靶材，安裝在增透膜層生長腔室的底部，并通過匹配箱與射頻電源連接；

樣品托，安裝在增透膜層生長腔室的頂部，所述樣品托上設置有具有樣品槽的內嵌式樣品盤，所述樣品槽外部設置有壓片，所述壓片中間設置有孔，孔的形狀、大小與碲鎘汞器件需要鍍膜的區域一致，且所述壓片上的孔與所述靶材上下對正。

2.如權利要求1所述的用于碲鎘汞器件增透膜層生長的裝置，其特征在于，所述樣品槽為方形，且兩個相對的角上設置有比所述樣品槽深更深的裝片孔。

3.如權利要求1所述的用于碲鎘汞器件增透膜層生長的裝置，其特征在于，所述樣品槽兩側設置有通孔。

4.如權利要求3所述的用于碲鎘汞器件增透膜層生長的裝置，其特征在于，所述碲鎘汞器件通過簧片、螺釘和壓片固定在所述樣品盤上，樣品盤被安裝于所述樣品托上。

5.如權利要求1所述的用于碲鎘汞器件增透膜層生長的裝置，其特征在于，所述增透膜層生長腔室的的側壁上設置有觀察窗。