[實用新型]高亮度發(fā)光二極管組件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920219829.5 | 申請日： | 2009-10-21 |
| 公開（公告）號： | CN201547553U | 公開（公告）日： | 2010-08-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳元杰;蔡浚名 | 申請（專利權）人： | 普照光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | F21S2/00 | 分類號： | F21S2/00;F21V7/04;F21V23/00;F21V19/00;F21V7/22;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 王德楨 |
| 地址： | 中國臺灣臺北縣深坑*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 亮度 發(fā)光二極管 組件 | ||
1.一種高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，包括有：
一金屬基板，其板面設有至少一凹坑，各凹坑底部是相對與該金屬基板的板面形成一高度落差，并且在預定的凹坑底部一體加工成型有至少一反射凸部；
一電路架構，建構在該金屬基板的板面；
至少一發(fā)光二極管，設于該金屬基板的凹坑底部相對于凹坑壁面與反射凸部之間，并與該電路架構電性連接；
至少一封裝層，相對填覆在各發(fā)光二極管外。
2.根據(jù)權利要求1所述的高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，各凹坑的表面為電鍍銀。
3.根據(jù)權利要求1所述的高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，該各反射凸部覆蓋有白色有機材料。
4.根據(jù)權利要求1所述的高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，該電路架構為一由銅箔所構成的線路層，并通過一絕緣層與該金屬基板表面隔離。
5.根據(jù)權利要求4所述的高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，該銅箔上設有一防焊層。
6.根據(jù)權利要求1所述的高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，該至少一發(fā)光二極管黏著固定在該金屬基板的凹坑底部。
7.根據(jù)權利要求1所述的高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，該至少一封裝層是由樹脂所構成。
8.根據(jù)權利要求1所述的高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，該至少一封裝層是由樹脂結合熒光粉所構成。
9.根據(jù)權利要求1所述的高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，該至少一反射凸部為一凸粒。
10.根據(jù)權利要求1所述的高亮度發(fā)光二極管組件，其特征在于，該至少一反射凸部為一凸條。
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