[實用新型]半導體承載結構

有效

• 申請號: 200920216779.5
• 申請日: 2009-09-21
• 公開（公告）號: CN201508853U
• 公開（公告）日: 2010-06-16
• 發明（設計）人: 江振豐
• 申請（專利權）人: 光宏精密股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L25/075;H01L23/12;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/482;H01L23/13;H01L23/14;H01L23/495
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

1.一種半導體承載結構，其特征在于，其包括由塑料所制成的具有一導熱區的承載體，所述承載體在各表面形成有一介面層，再在所述介面層上方界定形成有一絕緣線路與金屬層，所述絕緣線路位于所述導熱區所在表面以及由所述導熱區兩相鄰表面所環繞延伸的環形區域而同時使所述承載體的部分表面暴露，以將介面層上的金屬層形成至少兩電極。

2.如權利要求1所述的半導體承載結構，其特征在于，所述導熱區是一立體導熱結構所形成的反射杯。

3.如權利要求1所述的半導體承載結構，其特征在于，所述導熱區是承載體在內部設置的至少一導熱體，使所述導熱體的頂部具有傳導熱的導熱面。

4.如權利要求1所述的半導體承載結構，其特征在于，所述承載體的導熱區是一導熱體延伸一立體導熱結構所形成的反射杯，所述反射杯底部形成一穿孔，所述導熱體設于所述穿孔內，使所述導熱體頂部形成為所述反射杯底部。

5.如權利要求4所述的半導體承載結構，其特征在于，所述承載體與所述導熱體的表面上形成一介面層，所述介面層上進而包括移除一部份介面層以形成的絕緣線路，與分別設于所述絕緣線路兩側的金屬層，所述金屬層用于互連承載體與導熱體。

6.如權利要求5所述的半導體承載結構，其特征在于，所述承載體與所述導熱體間更包含一接觸面，所述接觸面以一金屬層充填。

7.如權利要求1所述的半導體承載結構，其特征在于，所述導熱體進而包括粘設一發光二極管晶片，所述晶片至少有一接點通過金屬導線連接相對應的金屬層。

8.如權利要求1所述的半導體承載結構，其特征在于，所述承載體至少一側延伸形成至少一側臂，所述承載體與所述側臂在各表面形成一介面層，再在所述承載體與所述側臂上界定形成一第一絕緣線路、第二絕緣線路與金屬層，當所述側臂分割所述承載體后，所述側臂接觸承載體的兩側形成分割面，使所述分割面與第一絕緣線路、第二絕緣線路用以形成一環形區域，以將介面層上的金屬層形成至少兩電極。

9.如權利要求1所述的半導體承載結構，其特征在于，所述承載體為包含預先摻雜金屬觸媒的塑料、液晶高分子聚合物、包含預先摻雜有機物的塑料或液晶高分子聚合物材料所制得，所述金屬觸媒或有機物包括鈀、銅、銀或鐵。

10.如權利要求1所述的半導體承載結構，其特征在于，所述承載體為無摻雜金屬觸媒的塑料或液晶高分子聚合物、或無摻雜有機物的塑料或液晶高分子聚合物所制得。

11.一種半導體承載結構，其特征在于，其包括由塑料所制成的一承載體，所述承載體在各表面形成有一介面層，再在所述介面層上方界定形成有一絕緣線路與金屬層，所述絕緣線路由兩相鄰表面所環繞延伸的環形區域而同時使所述承載體的部分表面暴露，以將介面層上的金屬層形成至少兩電極。

12.如權利要求11所述的半導體承載結構，其特征在于，所述承載體至少一側延伸形成至少一側臂，所述承載體與所述側臂在各表面形成一介面層，再在所述承載體與所述側臂上界定形成一第一絕緣線路、第二絕緣線路與金屬層，當所述側臂分割所述承載體后，所述側臂接觸承載體的兩側形成分割面，使所述分割面與第一絕緣線路、第二絕緣線路用以形成一環形區域，以將介面層上的金屬層形成至少兩電極。

13.如權利要求11所述的半導體承載結構，其特征在于，所述承載體包含預先摻雜金屬觸媒的塑料或液晶高分子聚合物、或包含預先摻雜有機物的塑料或液晶高分子聚合物材料所制得，所述金屬觸媒或有機物包括鈀、銅、銀或鐵。

14.如權利要求11所述的半導體承載結構，其特征在于，所述承載體為無摻雜金屬觸媒的塑料或液晶高分子聚合物、或無摻雜有機物的塑料或液晶高分子聚合物所制得。