[實(shí)用新型]一種具有氣體檢測(cè)裝置的加熱爐有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920211547.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-10-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201689872U | 公開(kāi)(公告)日: | 2010-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 董彬;宋大偉 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人: | 董巍;顧珊 |
| 地址: | 201203 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 氣體 檢測(cè) 裝置 加熱爐 | ||
1.一種具有氣體檢測(cè)裝置的加熱爐,所述加熱爐包括外爐管、內(nèi)爐管、氣體反應(yīng)腔以及氣體注入室,所述氣體反應(yīng)腔設(shè)置在所述內(nèi)爐管的內(nèi)側(cè),用于容納承載待處理晶片的晶舟,所述氣體注入室設(shè)置在所述外爐管的下方,用來(lái)通過(guò)氣體通入/排出管將反應(yīng)氣體輸送至所述氣體反應(yīng)腔,與爐體內(nèi)部連通的主管道上設(shè)置有主閥門(mén),用于控制氣體進(jìn)入/排出爐體內(nèi)部,其特征在于,
所述加熱爐還包括一氣體檢測(cè)裝置,所述氣體檢測(cè)裝置包括依次連通的一單向氣閥、第一氣閥、氣體檢測(cè)器以及第二氣閥,由所述單向氣閥、所述第一氣閥、所述氣體檢測(cè)器以及所述第二氣閥構(gòu)成的氣體通路連接于所述主閥門(mén)的兩端。
2.如權(quán)利要求1所述的加熱爐,其特征在于,所述單向氣閥只允許主管道中的氣體流入到所述氣體檢測(cè)裝置中,而不允許氣體反向流出所述氣體檢測(cè)裝置。
3.如權(quán)利要求1所述的加熱爐,其特征在于,所述氣體檢測(cè)器是檢測(cè)ppm量級(jí)的氣體濃度含量的檢測(cè)器。
4.如權(quán)利要求3所述的加熱爐,其特征在于,所述氣體檢測(cè)器是檢測(cè)氣體中氧氣的含量的檢測(cè)器。
5.如權(quán)利要求1所述的加熱爐,其特征在于,所述加熱爐是垂直式加熱爐。
6.如權(quán)利要求1所述的加熱爐,其特征在于,所述加熱爐還設(shè)置有溫度傳感器,用于感測(cè)爐體內(nèi)的溫度。
7.如權(quán)利要求1所述的加熱爐,其特征在于,所述加熱爐還設(shè)置有密封罩,在將所述晶舟載入到爐管內(nèi)后,所述密封罩用于密封所述外爐管。?
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司,未經(jīng)中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200920211547.0/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 上一篇:電池柜的溫度平衡結(jié)構(gòu)
- 下一篇:快速光電倍增管
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法以及記錄介質(zhì)
- 檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)設(shè)備及檢測(cè)方法
- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)組件、檢測(cè)裝置以及檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法及檢測(cè)程序
- 檢測(cè)電路、檢測(cè)裝置及檢測(cè)系統(tǒng)





