[實(shí)用新型]多晶硅還原爐用新型法蘭結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920210326.1 | 申請日： | 2009-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN201522196U | 公開（公告）日： | 2010-07-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭飛龍;周積衛(wèi);張華芹;陳杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海森松新能源設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | F27D1/00 | 分類號： | F27D1/00;C01B33/035 |
| 代理公司： | 上海世貿(mào)專利代理有限責(zé)任公司 31128 | 代理人： | 嚴(yán)新德 |
| 地址： | 201323 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 還原 新型 法蘭 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種多晶硅還原爐用新型法蘭結(jié)構(gòu)，由法蘭盤構(gòu)成，其特征在于：所述的法蘭盤的上端面中沿圓周方向設(shè)置有一個(gè)環(huán)狀槽，法蘭盤中設(shè)置有內(nèi)側(cè)襯筒和底部襯環(huán)，內(nèi)側(cè)襯筒焊接在法蘭盤內(nèi)壁上，底部襯環(huán)設(shè)置在法蘭盤下表面上，內(nèi)側(cè)襯筒和底部襯環(huán)連接在一起，內(nèi)側(cè)襯筒的上端高于連接法蘭盤和內(nèi)筒體的焊縫。
2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐用新型法蘭結(jié)構(gòu)，其特征在于：環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤上端面上焊接有多晶硅還原爐內(nèi)筒體，環(huán)狀槽外側(cè)的法蘭盤上端面上焊接有多晶硅還原爐夾套筒體。
3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐用新型法蘭結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的環(huán)狀槽的截面底部呈曲線過渡。
4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐用新型法蘭結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的環(huán)狀槽內(nèi)側(cè)的法蘭盤上端面的高度大于環(huán)狀槽外側(cè)的法蘭盤上端面的高度。
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