[實(shí)用新型]靜電保護(hù)電路無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200920209610.7 | 申請(qǐng)日: | 2009-09-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201533157U | 公開(公告)日: | 2010-07-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃穎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 希姆通信息技術(shù)(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02H9/00 | 分類號(hào): | H02H9/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 保護(hù) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及電子領(lǐng)域,且特別涉及一種靜電保護(hù)電路。
背景技術(shù)
近年來半導(dǎo)體組件被廣泛的應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)、住家、通訊、交通與電力等領(lǐng)域。在未來的數(shù)十年內(nèi),電子組件將朝向高電壓、大電流功率、及低切換模塊等方向發(fā)展,并且朝向集成電路化。然而,在此領(lǐng)域一直為人所遺忘的靜電放電破壞問題卻依然存在,而且集成電路非常容易受到靜電而損傷,尤其隨著工藝技術(shù)的進(jìn)步,一些用來增加電路運(yùn)作速度的技術(shù),比如信道變短、柵極氧化層變薄、金屬硅化物的使用,和用來減輕熱載流子效應(yīng)的技術(shù),反而使得集成電路的靜電放電耐受能力大幅下降。
在已有技術(shù)中,通常利用背對(duì)背連接式二極管或二極管連接式的裝置來作為靜電放電保護(hù)組件,在經(jīng)典放電保護(hù)組件的設(shè)計(jì)上,背對(duì)背連接式或二極管連接式的二極管的采用數(shù)量是決定于所需的噪聲隔離度(NoiseImmunity)和電源的電壓差距,因?yàn)橐嵘肼暩綦x度,就得采用更多的二極管;而如果電源間的電壓差距太大,也就需要更多的二極管來保護(hù)電路。但是在不同的電源供應(yīng)間使用大量的二極管來防止噪聲干擾,會(huì)使得靜電放電的保護(hù)效率降低。此案外,因?yàn)殡娫撮g的相依特性,使得利用背對(duì)背連接式二極管或二極管連接式的裝置來作為靜電放電保護(hù)組件時(shí),當(dāng)二極管的數(shù)量越多,在靜電放電保護(hù)組件上產(chǎn)生的電壓降(Voltage?Drop)就會(huì)越大,又會(huì)形成另外的設(shè)計(jì)問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中防靜電設(shè)計(jì)過于復(fù)雜的問題,本實(shí)用新型提供了一種簡單實(shí)用的保護(hù)電路。
本實(shí)用新型提供了一種靜電保護(hù)電路,包括:被保護(hù)部件;靜電敏感部件,電性連接于所述被保護(hù)部件;電阻,串聯(lián)于被保護(hù)部件和靜電敏感部件之間;或者電容,并聯(lián)于被保護(hù)部件和靜電敏感部件之間;或者電感,并聯(lián)于被保護(hù)部件和靜電敏感部件之間。
可選的,所述被保護(hù)部件為中央處理器。
可選的,所述中央處理器和所述靜電敏感部件之間通過信號(hào)線相連。
由于采用了上述技術(shù)方案,與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型通過在電路中加入電阻、電容或電感等低成本器件來濾除靜電對(duì)中央處理器的沖擊,避免損壞硬件,不但設(shè)計(jì)簡單,容易實(shí)現(xiàn),而且也大大的降低了工藝的成本。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型一種靜電保護(hù)電路的第一實(shí)施例示意圖;
圖2為本實(shí)用新型一種靜電保護(hù)電路的第二實(shí)施例示意圖;
圖3為本實(shí)用新型一種靜電保護(hù)電路的第三實(shí)施例示意圖;
圖4為本實(shí)用新型一種靜電保護(hù)電路的第四實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說明。
本實(shí)用新型提供了一種靜電保護(hù)電路,包括:被保護(hù)部件;靜電敏感部件,電性連接于所述被保護(hù)部件;電阻,串聯(lián)于被保護(hù)部件和靜電敏感部件之間;或者電容,并聯(lián)于被保護(hù)部件和靜電敏感部件之間;或者電感,并聯(lián)于被保護(hù)部件和靜電敏感部件之間。所述被保護(hù)部件為中央處理器或系統(tǒng)重置裝置。
首先,請(qǐng)參考圖1,圖1為本實(shí)用新型一種靜電保護(hù)電路的第一實(shí)施例示意圖,從圖1中可以看到,中央處理器100和靜電敏感部件200之間,用信號(hào)線400相連。在中央處理器100和靜電敏感部件200之間,并聯(lián)一電容300,具體方法為電容300的一端連接信號(hào)線400,另一端接地。當(dāng)帶靜電的物件接觸靜電敏感部件200時(shí),靜電便會(huì)順著靜電敏感部件200通過信號(hào)線400被轉(zhuǎn)移到電容300上。
一般情況下,靜電的頻率成分很多,但是一定包含了較高頻率的成分,對(duì)于低速信號(hào)線,可以增加并聯(lián)小電容(例如10pf-100pf)來濾除高頻成分,失去高頻成分的靜電信號(hào)往往對(duì)于系統(tǒng)不會(huì)產(chǎn)生較大影響。
另外,由于系統(tǒng)重置裝置對(duì)靜電比較敏感,稍有靜電干擾就容易導(dǎo)致系統(tǒng)復(fù)位,可以采用相同的方法,在系統(tǒng)重置裝置上并聯(lián)一電容,這樣就可以避免靜電對(duì)系統(tǒng)重置裝置的信號(hào)的干擾,從而提高抗干擾能力。
同理,并聯(lián)電感也是一樣,請(qǐng)參考圖2,圖2為本實(shí)用新型一種靜電保護(hù)電路的第二實(shí)施例示意圖,從圖2中可以看到,電感600的一端連接信號(hào)線400,另一端接地。對(duì)于高速信號(hào)線,不能采取并聯(lián)電容的方法,這樣會(huì)破壞原本的信號(hào)完整性,但是,正是因?yàn)楦咚傩盘?hào)的高頻域成分超過了靜電的頻率,可以用電感濾除電感的自振頻率附近和自振頻率以下的靜電。
請(qǐng)參考圖3,圖3為本實(shí)用新型一種靜電保護(hù)電路的第三實(shí)施例示意圖。對(duì)于一些對(duì)于輸出阻抗要求不高的信號(hào),在中央處理器100和靜電敏感部件200之間相連的信號(hào)線400上串聯(lián)電阻500,可以一定程度的分散靜電能量,從而降低靜電對(duì)中央處理器100的沖擊。
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