[實用新型]中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤

有效

• 申請號: 200920208183.0
• 申請日: 2009-08-20
• 公開（公告）號: CN201485283U
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發明（設計）人: 吳海龍;程佳彪;周積衛;宋瑜
• 申請（專利權）人: 上海森松壓力容器有限公司
• 主分類號: C01B33/03
• 分類號: C01B33/03;C30B29/06
• 代理公司: 上海百一領御專利代理事務所(普通合伙) 31243
• 代理人: 陳貞健

1.一種中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，包括有底盤法蘭(1)和分別位于該底盤法蘭(1)的上、下端面的上底板(7)、下底板(3)，其特征在于：于所述底盤法蘭(1)和上、下底板(7、13)之間裝設有第一系列導流板(13)、第二系列導流板(15)和第三系列導流板(17)，所述第一、二、三系列導流板(13、15、17)由圓弧形板組成，其圍繞所述底盤法蘭(1)的中心呈螺旋型等距排布并與所述底盤法蘭(1)的內壁形成有呈中心對稱的第一螺旋導流通道(14)、第二螺旋導流通道(16)和第三螺旋導流通道(18)，所述第一、二、三螺旋導流通道(14、16、18)內端將所述底盤法蘭(1)的中心三等分，于所述底盤法蘭(1)的中心還裝設有與第一、二、三螺旋導流通道(14、16、18)的內端相連通的冷卻水出口(6)，于所述第一、二、三螺旋導流通道(14、16、18)的末端分別裝設有冷卻水進口(9)。

2.如權利要求1所述的中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，其特征在于：所述的第一系列導流板(13)、第二系列導流板(15)與第三系列導流板(17)形成的第一螺旋導流通道(14)、第二螺旋導流通道(16)和第三螺旋導流通道(18)包括有順流螺旋導流通道、逆流螺旋導流通道以及順逆聯合螺旋導流通道。

3.如權利要求1所述的中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，其特征在于：于所述第一、二、三螺旋導流通道(14、16、18)內設置有與所述底盤法蘭(1)的軸向相平行且與所述上、下底板(7、3)相連的混合氣體入口短節(5)。

4.如權利要求3所述的中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，其特征在于：所述的混合氣體入口短節(5)呈同心圓周狀分布于所述第一、二、三螺旋導流通道(14、16、18)內。

5.如權利要求1所述的中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，其特征在于：于所述底盤法蘭(1)的中心還設置有與所述底盤法蘭(1)的軸向相平行且與所述上、下底板(7、3)相連的混合氣體出口(8)。

6.如權利要求5所述的中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，其特征在于：所述冷卻水進口(9)裝設在混合氣體出口(8)的外周，于兩者之間留有冷卻水流動間隙，該冷卻水流動間隙的上端與第一、二、三螺旋導流通道(14、16、18)的末端相連通。

7.如權利要求1、2、3、4、5或6所述的中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，其特征在于：沿所述底盤法蘭(1)側壁的徑向設置有側壁冷卻水進口(10)和側壁冷卻水出口(12)。

8.如權利要求7所述的中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，其特征在于：于所述上底板(7)的外圓周側設置有密封襯環(2)，其與所述底盤法蘭(1)的上端面相連。

9.如權利要求8所述的中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，其特征在于：所述的底盤法蘭(1)的上端面與上底板(7)的下側面之間設置有環狀溝槽(11)，其與所述側壁冷卻水進、出口(10、12)連通，并在中間設置隔板(19)將側壁冷卻水進、出口(10、12)之間的最短圓弧隔斷。

10.如權利要求9所述的中心對稱三螺旋導流通道多晶硅還原爐底盤，其特征在于：于所述第一、二、三螺旋導流通道(14、16、18)內還裝設有呈同心圓周狀分布的電極座(4)，其與所述底盤法蘭(1)的軸向相平行且與所述上、下底板(7、3)相連。