[實(shí)用新型]一種從貧氪氙濃縮物中提取純氪和純氙的裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920207827.4 | 申請日： | 2009-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN201476465U | 公開（公告）日： | 2010-05-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳志誠;劉劍;嚴(yán)壽鵬;俞建 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海啟元科技發(fā)展有限公司;上海啟元空分技術(shù)發(fā)展有限公司 |
| 主分類號： | F25J3/02 | 分類號： | F25J3/02;C01B23/00 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人： | 趙志遠(yuǎn) |
| 地址： | 201203 上海市張江*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 貧氪氙 濃縮物 提取 裝置 | ||
1.一種從貧氪氙濃縮物中提取純氪和純氙的裝置，其特征在于，該裝置包括氣體熱交換器和四級精餾塔，第一級精餾塔底部連接第二級精餾塔，第二級精餾塔頂部連接純氪產(chǎn)品收集器，底部連接第三級精餾塔，第三級精餾塔頂部連接第四級精餾塔，第四級精餾塔底部連接純氙產(chǎn)品收集器；各級精餾塔頂部設(shè)有冷凝蒸發(fā)器，底部設(shè)有再沸器，各級精餾塔中均填充不銹鋼絲網(wǎng)規(guī)整填料，在填料層上下不同段面分別設(shè)有多個(gè)測溫元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種從貧氪氙濃縮物中提取純氪和純氙的裝置，其特征在于，所述的再沸器為電加熱再沸器或者蒸汽加熱再沸器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種從貧氪氙濃縮物中提取純氪和純氙的裝置，其特征在于，所述的第一級精餾塔頂部的冷凝蒸發(fā)器入口連接液氮低溫儲槽，出口連接氣體換熱器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種從貧氪氙濃縮物中提取純氪和純氙的裝置，其特征在于，所述的第一級精餾塔頂部分別通過低溫管線連接第二級精餾塔、第三級精餾塔和第四級精餾塔頂部的冷凝蒸發(fā)器入口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種從貧氪氙濃縮物中提取純氪和純氙的裝置，其特征在于，所述的第二級精餾塔、第三級精餾塔和第四級精餾塔頂部的冷凝蒸發(fā)器出口連接空氣分離裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種從貧氪氙濃縮物中提取純氪和純氙的裝置，其特征在于，所述的測溫元件設(shè)有5-15個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種從貧氪氙濃縮物中提取純氪和純氙的裝置，其特征在于，四級精餾塔、連接各級精餾塔間的低溫管線和閥門都包在充有絕熱材料的冷箱內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海啟元科技發(fā)展有限公司;上海啟元空分技術(shù)發(fā)展有限公司，未經(jīng)上海啟元科技發(fā)展有限公司;上海啟元空分技術(shù)發(fā)展有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200920207827.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
