[實用新型]單相表信號功率放大電路

有效

• 申請號: 200920201758.6
• 申請日: 2009-12-01
• 公開（公告）號: CN201577067U
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: 劉其君;蒙根;李頌清;邵柳東
• 申請（專利權）人: 寧波三星電氣股份有限公司
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21
• 代理公司: 寧波市鄞州甬致專利代理事務所 33228
• 代理人: 王樹鏞

技術領域

本實用新型涉及電能表，具體講是一種單相表信號功率放大電路。

背景技術

目前有一種單相表信號功率放大電路，包括第一電容、二極管、第一電阻、P溝道MOS管、N溝道MOS管、第二電阻、第三電阻、電感、第二電容；所述N溝道MOS管的柵極接信號輸入端、該N溝道MOS管的源極接地，所述P溝道MOS管的源極接電源輸入端，所述第一電容一端接N溝道MOS管的柵極，所述第一電容另一端接P溝道MOS管的柵極，所述二極管的正極接P溝道MOS管的柵極，所述二極管的負極接P溝道MOS管的源極。所述第一電阻的一端接P溝道MOS管的源極，所述第一電阻的另一端接P溝道MOS管的柵極。所述第二電阻的一端接N溝道MOS管的漏極，所述第二電阻的另一端接電感的一端，所述第三電阻的一端接P溝道MOS管的漏極，所述第三電阻的另一端接電感的與第二電阻的公共端，所述電感的另一端串聯第二電容后接載波芯片。

以上這種結構的單相表信號功率放大電路存在以下缺點：

1、客觀上單相表的載波芯片只能采用的是MOSFET工藝，但是由于該載波芯片不推薦驅動容性負載，上述的這套單相表信號功率放大電路的輸入是容性的，所以，這就可能導致載波芯片在上電后被損壞。

2、由于二極管導通需要的正向電壓較高，但是高電壓又容易損壞P溝道MOS管，從而使單相表的可靠性、穩定性降低。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是，提供一種能保護載波芯片不被損壞和使P溝道MOS管不易損壞的單相表信號功率放大電路。

本實用新型的技術方案是，提供一種具有以下結構的單相表信號功率放大電路，包括第一電容、第一電阻、P溝道MOS管、N溝道MOS管、第二電阻、第三電阻、電感、第二電容；它還包括第四電阻和肖特基穩壓管，所述第四電阻的一端接信號輸入端，所述第四電阻的另一端接N溝道MOS管的柵極，所述肖特基穩壓管的正極接P溝道MOS管的柵極，所述肖特基穩壓管的負極接P溝道MOS管的源極。

采用上述結構后，本實用新型與現有技術相比，具有以下優點：

1、客觀上單相表的載波芯片還是采用的是MOSFET工藝，但是由于增加了第四電阻，所述第四電阻的一端接信號輸入端，所述第四電阻的另一端接N溝道MOS管的柵極，該電阻起到分壓作用，從而能保護載波芯片不被損壞。

2、采用肖特基穩壓管代替二極管，因為肖特基穩壓管導通需要的正向電壓較低，低電壓不易損壞P溝道MOS管，從而使單相表的可靠性、穩定性提高。

附圖說明

附圖為本實用新型的單相表信號功率放大電路的電路原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步說明。

如圖所示，本實用新型的單相表信號功率放大電路，包括第一電容、第一電阻、P溝道MOS管、N溝道MOS管、第二電阻、第三電阻、電感、第二電容；所述N溝道MOS管的源極接地，所述P溝道MOS管的源極接電源輸入端，所述第一電容一端接N溝道MOS管的柵極，所述第一電容另一端接P溝道MOS管的柵極，所述第一電阻的一端接P溝道MOS管的源極，所述第一電阻的另一端接P溝道MOS管的柵極。所述第二電阻的一端接N溝道MOS管的漏極，所述第二電阻的另一端接電感的一端，所述第三電阻的一端接P溝道MOS管的漏極，所述第三電阻的另一端接電感的與第二電阻的公共端，所述電感的另一端串聯第二電容后接載波芯片。

本實用新型的單相表信號功率放大電路還包括第四電阻和肖特基穩壓管，所述第四電阻的一端接信號輸入端，所述第四電阻的另一端接N溝道MOS管的柵極，所述肖特基穩壓管的正極接P溝道MOS管的柵極，所述肖特基穩壓管的負極接P溝道MOS管的源極

為便于看圖，接地符號記為GND，電源輸入端記為V-Send、信號輸入端記為SSCout、第一電容記為C35，肖特基穩壓管記為TS5、第一電阻記為R7、P溝道MOS管記為Pch、N溝道MOS管記為Nch、第二電阻記為R1、第三電阻記為R2、電感記為L5、第二電容記為C31。