[實(shí)用新型]檢測(cè)細(xì)胞生理參數(shù)的光電復(fù)合一體式傳感器及集成硅芯片

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920200584.1
• 申請(qǐng)日: 2009-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN201569654U
• 公開（公告）日: 2010-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王平;肖麗丹;余暉;胡朝穎;蔡華;劉清君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): G01N33/483
• 分類號(hào): G01N33/483;H01L21/77
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 林懷禹

1.一種集成硅芯片，其特征是：所述集成硅芯片的中央布置有參考電極(1.4)，所述參考電極的兩端各布置有一組多位點(diǎn)電極陣列(1.1)，在參考電極的中部的兩側(cè)各布置有一對(duì)阻抗電極(1.2)，在參考電極的兩個(gè)端部的兩側(cè)各布置有一個(gè)第一光尋址電位電極(1.3)，所述第一光尋址電位電極的背面設(shè)有凹槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成硅芯片，其特征是：所述參考電極的端部設(shè)有屏蔽框，所述多位點(diǎn)電極陣列的位點(diǎn)位于屏蔽框內(nèi)。

3.一種具有權(quán)利要求1的集成硅芯片的檢測(cè)細(xì)胞生理參數(shù)的光電復(fù)合一體式傳感器，其特征在于：它包括固定在PCB板(3)上的腔體(5)和與該腔體相匹配的腔蓋(4)；在腔體的底部固定有集成硅芯片(1)，所述集成硅芯片的中央布置有參考電極(1.4)，在參考電極的兩端各布置有一組多位點(diǎn)電極陣列(1.1)，參考電極的中部的兩側(cè)各布置有一對(duì)阻抗電極(1.2)，在參考電極的兩個(gè)端部的兩側(cè)各布置有一個(gè)第一光尋址電位電極(1.3)，所述第一光尋址電位電極的背面設(shè)有凹槽；腔蓋上設(shè)有至少兩個(gè)流體通孔(4.2)和至少四個(gè)LED通孔(4.3)，腔蓋的主體部分的端面(4.4)固定有第二光尋址電位電極陣列(2)；腔蓋的主體部分置于腔體內(nèi)，腔蓋的主體部分的端面與集成硅芯片(1)之間有空隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光電復(fù)合一體式傳感器，其特征是：所述參考電極的端部設(shè)有屏蔽框，所述多位點(diǎn)電極陣列的位點(diǎn)位于屏蔽框內(nèi)。