[實(shí)用新型]一種單晶爐的石墨熱場無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920199719.7 | 申請日: | 2009-10-30 |
| 公開(公告)號: | CN201567389U | 公開(公告)日: | 2010-09-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方漢春 | 申請(專利權(quán))人: | 方漢春 |
| 主分類號: | C30B15/14 | 分類號: | C30B15/14 |
| 代理公司: | 杭州天正專利事務(wù)所有限公司 33201 | 代理人: | 舒良 |
| 地址: | 324300 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 單晶爐 石墨 | ||
所屬技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種單晶爐的石墨熱場,用于拉制單晶硅棒。
背景技術(shù)
目前,在直拉單晶硅生產(chǎn)過程中,我們通常采用的單晶爐,其石墨熱場主要由保溫筒、導(dǎo)流筒、加熱器、石墨坩堝和石英坩堝構(gòu)成,石英坩堝位于石墨坩堝內(nèi),石墨坩堝位于加熱器內(nèi),保溫筒位于最外層,導(dǎo)流筒位于石英坩堝之上及保溫筒內(nèi)。當(dāng)我們給加熱器通電,石墨坩堝開始升溫,當(dāng)溫度升至1400-1600℃時(shí),石英坩堝內(nèi)的硅料充分熔化后,再拉單晶硅棒;由于盛硅料的石英坩堝有氣孔或雜質(zhì)等,且升溫時(shí)間通常要保持40-50小時(shí),因此在長時(shí)間的高溫環(huán)境下,石英坩堝有時(shí)會(huì)有裂縫,或通過氣孔產(chǎn)生漏硅現(xiàn)象,液態(tài)硅會(huì)漏到石墨熱場的各個(gè)部件上,尤其是會(huì)漏到加熱器上,導(dǎo)致加熱器損壞,需要停產(chǎn)檢修,且加熱器價(jià)格昂貴,給企業(yè)增加了較大的生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供防止因漏硅而損壞加熱器的一種單晶爐的石墨熱場。
本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案是:一種單晶爐的石墨熱場,包括保溫筒、導(dǎo)流筒、加熱器、石墨坩堝和石英坩堝,石英坩堝位于石墨坩堝內(nèi),石墨坩堝位于加熱器內(nèi)及加熱器電極腳之上,保溫筒位于最外層,導(dǎo)流筒位于石英坩堝之上及保溫筒內(nèi),其特征在于在加熱器電極腳之上,以及石墨坩堝之間設(shè)有防護(hù)墊,且防護(hù)墊完全覆蓋加熱器電極腳。
采用本實(shí)用新型,當(dāng)發(fā)生漏硅現(xiàn)象,液態(tài)硅會(huì)漏到防護(hù)墊上,從而保護(hù)加熱器不受損壞,降低生產(chǎn)成本,同時(shí)不有利于提高生產(chǎn)效率。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體的實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
參照圖1,該單晶爐的石墨熱場包括保溫筒1、導(dǎo)流筒2、加熱器4、石墨坩堝3、石英坩堝5,石英坩堝5位于石墨坩堝3內(nèi),石墨坩堝3位于加熱器4內(nèi)及加熱器電極腳6之上,保溫筒1位于最外層,導(dǎo)流筒2位于石英坩堝5之上及保溫筒1內(nèi);在加熱器電極腳6之上,以及石墨坩堝3之間設(shè)有防護(hù)墊7,防護(hù)墊7完全覆蓋加熱器電極腳6,防護(hù)墊7可平鋪,或與加熱器電極腳6呈一定傾斜角度。使用該單晶爐時(shí),如果在長時(shí)間的高溫環(huán)境下,石英坩堝5產(chǎn)生漏硅現(xiàn)象,從石英坩堝5中漏出的硅會(huì)通過石墨坩堝3漏向墊該防護(hù)墊7,而不與加熱器電極腳6接觸,且防護(hù)墊7一般采用石墨制作,具有隔熱功能,保護(hù)加熱器電極腳6不受損壞,這樣,可降低生產(chǎn)成本,不會(huì)經(jīng)常需要檢修,有利于提高生產(chǎn)效率。
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