[實用新型]絕緣柵雙極型晶體管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200920192176.6 | 申請日： | 2009-08-31 |
| 公開（公告）號： | CN201478312U | 公開（公告）日： | 2010-05-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 屈志軍;曾祥 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州裕陽專利事務(wù)所(普通合伙) 33221 | 代理人： | 江助菊 |
| 地址： | 214000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣 柵雙極型 晶體管 | ||
1.一種絕緣柵雙極型晶體管，其包括在N-襯底表面進行低濃度的N-離子注入形成的襯底，形成在襯底表面的柵極氧化層，淀積在柵極氧化層上的多晶硅柵極，形成在柵極氧化層與N-襯底之間的p+阱區(qū)及位于p+阱區(qū)與柵極氧化層之間的N+阱區(qū)，位于N-襯底下方的背面注入?yún)^(qū)，位于注入?yún)^(qū)下方的集電極及位于柵極氧化層上方的發(fā)射極，其特征在于：在柵極氧化層下方的N-型襯底上增加了一個濃P型阱區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述濃P型阱區(qū)位于柵極氧化層正中央下方，形成在多晶硅光刻后的多晶硅柵下方的襯底內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述p+阱區(qū)由高濃度的p+離子注入形成在對多晶硅光刻后的光刻區(qū)域內(nèi)以及多晶硅柵下方的N-襯底上，接著進行擴散，隨后在光刻區(qū)進行濃N+離子注入形成N+阱區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于：所述濃P型阱區(qū)深度為0.1微米至10微米，寬度為0.1微米至10微米。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
