[實用新型]一種太陽能單晶硅制備用的磁場裝置

無效

• 申請號: 200920191189.1
• 申請日: 2009-08-11
• 公開（公告）號: CN201485534U
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發明（設計）人: 馬恩高;李昆侖;張偉峰
• 申請（專利權）人: 嘉興市中科光電科技有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B30/04;C30B29/06
• 代理公司: 杭州九洲專利事務所有限公司 33101
• 代理人: 翁霽明

1.一種太陽能單晶硅制備用磁場裝置，它主要由N磁極、S磁極、兩塊軛板、支撐立柱構成，其特征在于所述的兩塊軛板(3)的一端分別固定有N磁極(2)和S磁極(5)，另一端通過螺栓固定在連接板(6)上，形成一個閉合磁系回路；兩塊軛板(3)和連接板(6)均通過支撐立柱(4)安裝在單晶爐設備的兩側，使N磁極(2)和S磁極(5)相對，且在N磁極(2)和S磁極(5)四周安裝有屏蔽體(1)。

2.根據權利要求1所述的太陽能單晶硅制備用磁場裝置，其特征在于所述的N磁極(2)由若干塊稀土釹鐵硼拼接構成，所述的S磁極(5)由若干塊鐵氧體拼接構成，N磁極(2)和S磁極(5)構成不對稱磁系，該磁系中心的磁場強度為800-900GS，且磁場中心與單晶爐結晶位置平齊，磁力線范圍正好完全覆蓋坩堝中的硅溶液。

3.根據權利要求1或2所述的太陽能單晶硅制備用磁場裝置，其特征在于所述的S磁極(5)面積是N磁極(2)面積的1.5-3倍。