[實用新型]一種多芯片集成封裝的LED無效
| 申請號: | 200920190457.8 | 申請日: | 2009-07-28 |
| 公開(公告)號: | CN201549507U | 公開(公告)日: | 2010-08-11 |
| 發明(設計)人: | 樓滿娥;郭邦俊 | 申請(專利權)人: | 浙江邁勒斯照明有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司: | 浙江翔隆專利事務所 33206 | 代理人: | 戴曉翔 |
| 地址: | 311404 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 集成 封裝 led | ||
【技術領域】
本實用新型涉及一種LED,尤指一種多芯片集成封裝的LED。
【背景技術】
目前在半導體照明產業中,制作大功率半導體光源歷來有兩種方法。第一種方法是把功率相對較小的多個發光二極管(以下簡稱LED)例如功率為1W的LED安放在一個燈具內,成為一個功率較大的半導體照明燈具,第二種方法是把多個LED芯片安裝在同一個芯片承載面上,進行適當的電組合后,一起封裝成一個功率較大的LED。隨著導熱、散熱技術的進步,采用第二種方法制作大功率LED光源越來越多。
當今集成封裝的LED,其芯片常采用銀漿層粘結,但銀漿層導熱率不高,目前世界上最好的銀膠它的導熱率也只有2.0w/mk,封裝成LED熱阻在8-10℃/w左右,再要降低難度很大。而金屬焊接可克服導熱率低的問題,但隨之帶來其它方面的缺陷:焊接時無法精確固定芯片位置,因為焊料在熔化時由于自身的表面張力,會形成一個球形,使放在焊料上的芯片受到拱力而產生移動,且這種移動是隨機的,這就會造成焊接的缺陷,如圖1所示,芯片3與焊料2的接觸面減小而影響熱傳遞,芯片3易產生過熱點,使其無法發揮正常功效,上述缺陷限制了LED性能的提升。
【實用新型內容】
本實用新型要解決的技術問題和提出的技術任務是對現有技術方案進行完善與改進,提供一種多芯片集成封裝的LED,芯片焊接可精確定位。為此,本實用新型采取以下技術方案:
一種多芯片集成封裝的LED,包括一LED基座、設于基座上的復數個LED芯片及連接芯片的導電件,其特征在于:所述的基座上方覆有銀反射層,所述銀反射層的上表面為芯片承載面,所述的芯片承載面上設有復數個向上開口用以插接芯片的容置腔;所述容置腔的側壁為限制芯片移動的限位面,其底面為芯片承載面,所述容置腔的底部納有將芯片固接芯片承載面的焊錫層。銀反射層用于反射光,焊錫層能與LED芯片的鍍金層及基座的銀反射層焊接在一起,使芯片平穩地焊接于LED芯片承載面上。芯片插接于容置腔中因受限位面的阻擋使其在焊料熔化時不會因張力而移位,焊接后的芯片整個底部與錫焊層充分接觸而沒有空區,防止過熱點產生,從而保證芯片更低的結溫,延長光源的使用壽命。為了易于將LED芯片放于LED容置腔內,腔體可略大于LED芯片襯底的尺寸,為不遮擋LED芯片發光,腔體的深度不高于芯片襯底的高度。
作為對上述技術方案的進一步完善和補充,本實用新型還包括以下附加技術特征:
所述的芯片承載面覆有固定片,所述的固定片設有復數個與LED芯片相配的通孔,所述的通孔底部緊貼于承載面形成所述的容置腔。固定片厚度小于芯片襯底且形狀大小與芯片承載面相配,在預設芯片的位置上沖若干個面積略大于芯片面積的通孔后,將該固定片緊貼在底座的芯片承載面上,在通孔底部放入焊料后,將LED芯片插入,加熱基座使焊料熔化,待焊料凝固芯片就可固接在芯片承載面上。待焊料凝固該固定片也可取下。
所述的LED芯片承載面排設有復數個與芯片相配的內凹槽作為所述的容置腔。基座鍍銀之前在安放芯片的位置上沖擊若干個面積略大于芯片面積、深度小于芯片厚度的凹坑作為容置腔。
所述的容置腔的限位面設有10°-70°的出光角。設出光角用于不遮擋LED芯片發光。
所述的芯片承載面上排設有復數個由首尾相接的凸筋構成容置腔,所述容置腔的限位面外凸于LED芯片承載面。所述容置腔的限位面外凸于LED芯片承載面。凸筋圍繞芯片四周筑起限位面,把LED芯片圍在中間,在焊料熔化過程中,不會把芯片拱出限位面外。限位面可由精密的點膠機點膠的形成,膠體瞬間固化,便可在芯片安裝位置的四周設限位面,在容置腔底部安放焊料,LED芯片安放在焊料上,焊料經高溫熔化、冷卻后可以精確、平穩地把芯片焊接在預定的位置上。
所述容置腔的限位面為透明面。使得LED芯片發光不受遮擋。
所述的容置腔深度為30-70μm,焊錫層高度為5-20μm。
所述容置腔的開口呈矩形。。
本實用新型有益效果:
1、設插接芯片的容置腔使芯片精確定位,焊接后的芯片整個底部與錫焊層充分接觸,防止產生過熱點,從而保證芯片更低的結溫,延長光源的使用壽命。
2、采用錫焊層代替銀膠層將芯片固定在底座上,加快LED芯片的散熱。
【附圖說明】
圖1是現有技術的結構示意圖。
圖2是本實用新型的第一種結構示意圖。
圖3是本實用新型的第二種結構示意圖。
圖4是圖3的俯視結構示意圖
圖5是本實用新型的第三種結構示意圖。
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