[實(shí)用新型]雙加熱系統(tǒng)硅單晶生長(zhǎng)裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920186924.X
• 申請(qǐng)日: 2009-08-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201485535U
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉天貴;馬青;李春雷;高熙禮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥景坤新能源有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B15/14
• 分類(lèi)號(hào): C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.雙加熱系統(tǒng)硅單晶生長(zhǎng)裝置，包括有敞口的保溫爐，所述保溫爐內(nèi)設(shè)置有緊貼保溫爐內(nèi)壁的保溫筒，所述保溫爐底部從上到下依次設(shè)有爐底護(hù)板及爐底壓片，所述爐底壓片與保溫爐底緊密結(jié)合，還包括有石墨坩堝及坩堝軸，所述坩堝軸依次穿過(guò)保溫爐底部、爐底壓片及爐底護(hù)板伸入保溫爐內(nèi)，所述坩堝軸外套有坩堝軸護(hù)套，其位于保溫爐內(nèi)的端部連接有托盤(pán)，所述石墨坩堝放置于托盤(pán)上，所述保溫爐底部安裝有同外部電源連接的電極柱，所述電極柱穿過(guò)爐底壓片及爐底護(hù)板，位于保溫爐內(nèi)部，所述電極柱頂部通過(guò)電極螺絲螺合有加熱器，所述加熱器位于所述石墨坩堝周?chē)涮卣髟谟冢核霰貭t爐口處從上到下依次設(shè)置有保溫上蓋及保溫下蓋，所述保溫上蓋端部連接有內(nèi)導(dǎo)流筒，保溫下蓋端部連接有外導(dǎo)流筒，所述內(nèi)導(dǎo)流筒及外導(dǎo)流筒分別傾斜伸入所述石墨坩堝中，其中外導(dǎo)流筒的斜度大于內(nèi)導(dǎo)流筒，所述內(nèi)導(dǎo)流筒及外導(dǎo)流筒端部相連，內(nèi)、外導(dǎo)流筒之間的空隙中填充有填充物，所述保溫上蓋與保溫下蓋之間空隙中填充有填充物，所述電極柱頂端還連接有輔加熱器，所述輔加熱器位于所述托盤(pán)下方，所述爐底護(hù)板與爐底壓片之間填充有填充物，所述保溫筒底部側(cè)面還連通有排氣筒，所述排氣筒伸出保溫爐與外部真空管道連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙加熱系統(tǒng)硅單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述電極柱上還套有多層保溫板以隔開(kāi)加熱器與所述爐底護(hù)板，多層保溫板之間設(shè)置有支撐環(huán)以支撐保溫板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙加熱系統(tǒng)硅單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述保溫筒分為保溫上筒、保溫中筒及保溫下筒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙加熱系統(tǒng)硅單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述電極柱外依次套有石英護(hù)套及電極護(hù)套。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙加熱系統(tǒng)硅單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述坩堝軸通過(guò)螺絲與所述托盤(pán)螺合連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙加熱系統(tǒng)硅單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述電極螺絲外套有螺絲護(hù)套。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙加熱系統(tǒng)硅單晶生長(zhǎng)裝置，其特征在于：所述填充物為石墨碳?xì)帧?/p>