[實用新型]一種窯變拋釉磚有效
| 申請號： | 200920179036.5 | 申請日： | 2009-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN201545788U | 公開（公告）日： | 2010-08-11 |
| 發明（設計）人： | 陳滿堅;唐納德·溫·黑格比 | 申請（專利權）人： | 陳滿堅 |
| 主分類號： | C04B33/00 | 分類號： | C04B33/00;C04B35/00;C04B41/89;E04F13/14 |
| 代理公司： | 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100 | 代理人： | 華輝;劉菁菁 |
| 地址： | 528000 廣東省佛山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 窯變拋釉磚 | ||
【權利要求書】：
1.一種窯變拋釉磚，其特征在于：包括磚胚、燒結成形于磚胚上面的熔塊層及由熔塊層與釉料進行窯變反應形成的窯變釉層。
2.根據權利要求1所述的拋釉磚，其特征在于：所述熔塊層包括由熔塊粉燒結而成的主體圖案及主體圖案間的凹陷。
3.根據權利要求2所述的拋釉磚，其特征在于：所述凹陷內填充釉料。
4.根據權利要求2所述的拋釉磚，其特征在于：所述凹陷內填充金屬鍍層。
5.根據權利要求3所述的拋釉磚，其特征在于：所述凹陷內的釉料層之上覆蓋有金屬鍍層。
6.根據權利要求2所述的拋釉磚，其特征在于：所述凹陷內具有填充的釉料，且在所述填充的釉料之上覆蓋有一透明熔塊層。
7.根據權利要求2所述的拋釉磚，其特征在于：所述凹陷內有一熔塊薄層，及一由該熔塊薄層與覆蓋于熔塊薄層之上的釉料窯變反應后形成的窯變釉層。
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