[實用新型]用于功率半導體器件的控制器件

有效

• 申請號: 200920166723.3
• 申請日: 2009-07-31
• 公開（公告）號: CN201577025U
• 公開（公告）日: 2010-09-08
• 發明（設計）人: M·盧舍
• 申請（專利權）人: ABB瑞士有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 朱海煜;王丹昕

1.一種用于功率半導體器件(302)的控制器件(301)，包括：

連接(303)；

其中所述控制器件(301)設計成用于控制所述功率半導體器件(302)的電流流動；

其中所述連接(303)將所述控制器件(301)連接到所述功率半導體器件(302)；

其中所述連接(303)提供一定水平的電感，以致不需要在所述功率半導體器件(302)周圍增加緩沖器電路以限制在所述功率半導體器件(302)的關斷時電壓的升高。

2.如權利要求1所述的控制器件(301)，包括：

觸發脈沖單元(401)；

其中所述觸發脈沖單元(401)設計成用于提供電流脈沖以開啟所述功率半導體器件(302)。

3.如權利要求1-2中的一項所述的控制器件(301)，還包括：

保持電流單元(402)；

其中所述保持電流單元(402)設計成用于提供連續的電流以保持所述功率半導體器件(302)處于導通狀態。

4.如權利要求1所述的控制器件(301)，還包括：

關斷單元(403)；

其中所述關斷單元(403)設計成用于提供電流脈沖以關斷所述功率半導體器件(302)。

5.如權利要求1所述的控制器件(301)，

其中所述連接(303)將所述控制器件(301)連接到所述功率半導體器件(302)的端子(404)，

其中所述連接(303)設計為多層器件。

6.如權利要求1所述的控制器件(301)，

其中所述功率半導體器件(302)是晶閘管，

其中所述控制器件(301)是門極驅動器。

7.如權利要求1所述的控制器件(301)，

其中所述控制器件(301)具有抵抗電磁場的抗擾性。

8.如權利要求1所述的控制器件(301)，

其中所述觸發脈沖單元(401)和所述關斷單元(403)設計為電路，每個電路包括：

電感器；

其中所述電感器在所述脈沖被釋放之前用電流供給能量；

其中所述電流被非常快地換向到所述功率半導體器件(302)的門極(103)。

9.如權利要求1所述的控制器件(301)，

其中所述觸發脈沖單元(401)和所述保持電流單元(402)設計為電路，每個電路包括：

由分立元件或在印刷電路板(502)上的銅跡線中之一組成的電感器。

10.如權利要求1所述的控制器件(301)，

其中所述關斷單元(403)包括

并行連接的多個電解電容器(501)，以及

并行連接的多個MOSFET。

11.如權利要求10所述的控制器件(301)，

其中所述電解電容器(501)設計成用于緩沖所述功率半導體器件(302)的脈沖功率消耗。

12.如權利要求1所述的控制器件(301)，

其中所述連接(303)連接到用若干層構成的印刷電路板(502)；

其中所述印刷電路板(502)到所述功率半導體器件(302)的所述連接(303)由交替的所述功率半導體器件(302)的門極(103)層和陰極(102)層提供以便提供大約1至2納亨(nH)的低電感。

13.如權利要求1所述的控制器件(301)，還包括：

控制單元(304)；

其中從所述控制單元(304)到所述控制器件(301)的通信設計為光纖鏈路(305)以提供用于所述控制器件(301)的高電壓隔離和電磁抗擾性。

14.一種用于控制高電流的系統(300)，所述系統包括：

功率半導體器件(302)，

如權利要求1至13中的一項所述的用于控制所述功率半導體器件(302)的控制器件(301)。