[實(shí)用新型]電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)與分析裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200920161731.9
• 申請(qǐng)日: 2009-07-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201440158U
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張東中;佟為明;袁帥;張玉萍;金顯吉;李鳳閣;李中偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 黑龍江大學(xué);哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): G01R31/00
• 分類號(hào): G01R31/00
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨;朱世定

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)與分析裝置。

背景技術(shù)

隨著新型電力電子設(shè)備的迅速發(fā)展，基于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的控制設(shè)備和電子裝置在用戶負(fù)荷中的廣泛應(yīng)用，現(xiàn)代電力系統(tǒng)中用電負(fù)荷結(jié)構(gòu)發(fā)生了重大變化，電能質(zhì)量已成為電力企業(yè)和用戶共同關(guān)心的重要問(wèn)題。電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)是掌握電網(wǎng)供電質(zhì)量的實(shí)際情況、改善電能質(zhì)量的必要前提，電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)裝置是電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)工作必不可少的工具。目前，市場(chǎng)上的電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)裝置主要存在以下不足：數(shù)據(jù)處理能力不強(qiáng)，實(shí)時(shí)性不高；數(shù)據(jù)采集速率低，模數(shù)轉(zhuǎn)換精度低；數(shù)字通信能力有限，不易實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)交換、共享；部分裝置采用PC機(jī)作為測(cè)量裝置，體積較大、成本偏高。

因此，如何將上述技術(shù)問(wèn)題加以解決，即為本領(lǐng)域技術(shù)人員所研究的方向所在。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的是提供一種電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)與分析裝置，其解決了現(xiàn)有技術(shù)問(wèn)題中的微處理器數(shù)據(jù)處理能力低、系統(tǒng)實(shí)時(shí)性差，數(shù)字通信能力有限，不易實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)交換、共享等問(wèn)題。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型通過(guò)一種電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)與分析裝置，其包括：

一電壓互感器模塊，其信號(hào)采集端與電力母線相連接；

一電流互感器模塊，其信號(hào)采集端與電力母線相連接；

一電力信號(hào)采集模塊，其與所述電壓互感器模塊及所述的電流互感器模塊相連，用于采集電力信號(hào)；

一第一處理模塊，其與所述電力信號(hào)采集模塊相連；

一第二處理模塊，其通過(guò)一雙口RAM模塊與所述的第一處理模塊相連；

一第一通信接口模塊，其與所述第二處理模塊相連；

一第二通信接口模塊，其與所述的第二處理模塊相連。

較佳的，所述的第一處理模塊為一高速數(shù)字信號(hào)處理模塊，

較佳的，所述的第二處理模塊為一嵌入式處理模塊。

較佳的，所述的第一通信接口模塊為一Modbus通信接口模塊。

較佳的，所述的第二通信接口模塊為一以太網(wǎng)通信接口模塊。

較佳的，所述高速數(shù)字信號(hào)處理模塊包括一高速DSP數(shù)字信號(hào)處理模塊、一SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊、一E²PROM參數(shù)存儲(chǔ)模塊和一數(shù)字量輸入輸出模塊；其中，所述的SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊、所述的E²PROM參數(shù)存儲(chǔ)模塊和所述的數(shù)字量輸入輸出模塊均與所述的高速DSP數(shù)字信號(hào)處理模塊相連。

較佳的，所述嵌入式處理器模塊包括一ARM嵌入式處理器模塊、一SDRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊、一液晶顯示電路模塊和一鍵盤(pán)輸入電路模塊；其中，所述的DRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊、所述的液晶顯示電路模塊和所述的鍵盤(pán)輸入電路模塊均與所述的ARM嵌入式處理器模塊相連。

較佳的，所述的高速DSP數(shù)字信號(hào)處理模塊與所述的電力信號(hào)采集模塊及所述的雙口RAM模塊相連。

較佳的，所述的ARM嵌入式處理器模塊與所述的雙口RAM模塊、所述的第一通信接口模塊及所述的第二通信結(jié)構(gòu)模塊相連。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于：本實(shí)用新型能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)顯示三相電壓的電壓偏差、頻率偏差、諧波、三相不平衡度、電壓波動(dòng)與閃變等電能質(zhì)量指標(biāo)以及常規(guī)電力參數(shù)，并能通過(guò)其自身的通信接口傳輸?shù)街髡尽１緦?shí)用新型充分發(fā)揮了數(shù)字信號(hào)處理器DSP的信號(hào)處理能力和嵌入式處理器ARM的系統(tǒng)控制能力，不僅計(jì)算速度快，計(jì)算精度高，而且具有友好的人機(jī)接口和優(yōu)良的通信功能。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)與分析裝置的一實(shí)施例組成框圖；

圖2為本實(shí)用新型電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)與分析裝置的另一實(shí)施例組成框圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：1-第一處理模塊；2-第二處理模塊；3-雙口RAM模塊；4-電力信號(hào)采集模塊；5-電壓互感器模塊；6-電流互感器模塊；7-第一通信接口模塊；8-第二通信接口模塊；11-高速DSP數(shù)字信號(hào)處理模塊；12-SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊；13-E²PROM參數(shù)存儲(chǔ)模塊；14-數(shù)字量輸入輸出模塊；21-ARM嵌入式處理器模塊；22-SDRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊；23-液晶顯示電路模塊；24-鍵盤(pán)輸入電路模塊。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型上述的和另外的技術(shù)特征和優(yōu)點(diǎn)作更詳細(xì)的說(shuō)明。