[實用新型]低電壓射頻微機電系統開關及其封裝結構

無效

• 申請號: 200920160173.4
• 申請日: 2009-06-19
• 公開（公告）號: CN201490302U
• 公開（公告）日: 2010-05-26
• 發明（設計）人: 黨兵;王國安
• 申請（專利權）人: 黨兵;王國安
• 主分類號: H01P1/10
• 分類號: H01P1/10;B81B7/02
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 王德楨

1.一種低電壓射頻微機電系統開關及其封裝結構，其特征在于，包括：一射頻微機電系統開關，其包括：依次交替水平設置于襯底材料(1)上的用于射頻信號輸入的底層電極(2)、用于提供驅動電壓的底層驅動電極(3)、用于射頻信號輸出的底層電極(4)、用于提供驅動電壓的底層驅動電極(5)，所述的底層電極(2、4)及底層驅動電極(3、5)的上方設有一可上下彎曲的頂層電極(6)，所述的頂層電極(6)和底層電極(2)之間通過一個豎立的側柱(7)相連，所述的底層電極(4)上設有一層介電材料薄膜(8)，所述的底層驅動電極(3、5)上各設有防止頂層電極與其相接觸的絕緣隔離塊(9)；

一加蓋層(10)，覆蓋于所述的射頻機電系統開關上；

一密封層(11)，覆蓋于所述的加蓋層(10)上。

2.根據權利要求1所述的一種低電壓射頻微機電系統開關及其封裝結構，其特征在于，所述的加蓋層(10)上開有腐蝕通道(12)。

3.根據權利要求1所述的一種低電壓射頻微機電系統開關及其封裝結構，其特征在于，所述的加蓋層(10)可以為一層氣相可滲透高分子加蓋層。

4.根據權利要求1所述的一種低電壓射頻微機電系統開關及其封裝結構，其特征在于，所述的介電材料薄膜(8)和絕緣隔離塊(9)的材料為二氧化硅或氮化硅。

5.根據權利要求1或4所述的一種低電壓射頻微機電系統開關及其封裝結構，其特征在于，所述的介電材料薄膜(8)的厚度為小于1微米。

6.根據權利要求1所述的一種低電壓射頻微機電系統開關及其封裝結構，其特征在于，所述的頂層電極(6)與底層驅動電極(3、5)及底層電極(2)之間為空氣層，且其厚度大于1微米。